型号: | M29W800AB |
厂商: | 意法半导体 |
英文描述: | 8Mbit(1Mbx8 or 512Kbx16, Block Erase) Low Voltage Single Supply Flash Memory(8Mb闪速存储器) |
中文描述: | 8Mbit(1Mbx8或512Kbx16,块擦除)低电压单电源闪存(8兆闪速存储器) |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 32K |
代理商: | M29W800AB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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M29W800B | 8Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory(8Mb低压闪速存储器) |
M29W800DB90ZE1F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
M29W800DB45N1F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
M29W800DB45N1T | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
M29W800DB45N6E | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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M29W800AB100M1 | 功能描述:闪存 SO-44 1MX8 512KX16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
M29W800AB100N1 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 100n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
M29W800AB100N6 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 100n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
M29W800AB120M1 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 120n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
M29W800AB120N1 | 功能描述:闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |