- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录359053 > M29W800AT100N6T (意法半导体) Low-Power Single Schmitt-Trigger Buffer 5-SC70 -40 to 85 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | M29W800AT100N6T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | Low-Power Single Schmitt-Trigger Buffer 5-SC70 -40 to 85 |
| 中文描述： | 8兆1兆x8或512KB的x16插槽，引导块低压单电源闪存 |
| 文件页数： | 1/33页 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | M29W800AT100N6T |
当前第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页
1/33
March 2000
M29W800AT
M29W800AB
8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)
Low Voltage Single Supply Flash Memory
I
2.7V to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS
I
ACCESS TIME: 80ns
I
PROGRAMMING TIME: 10
μ
s typical
I
PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)
– Program Byte-by-Byte or Word-by-Word
– Status Register bits and Ready/Busy Output
I
SECURITY PROTECTION MEMORY AREA
I
INSTRUCTION ADDRESS CODING: 3 digits
I
MEMORY BLOCKS
– Boot Block (Top or Bottom location)
– Parameter and Main blocks
I
BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE
I
MULTI BLOCK PROTECTION/TEMPORARY
UNPROTECTION MODES
I
ERASE SUSPEND and RESUME MODES
– Read and Program another Block during
Erase Suspend
I
LOW POWER CONSUMPTION
– Stand-by and Automatic Stand-by
I
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per
BLOCK
I
20 YEARS DATA RETENTION
– Defectivity below 1ppm/year
I
ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 20h
– Top Device Code, M29W800AT: D7h
– Bottom Device Code, M29W800AB: 5Bh
Figure 1. Logic Diagram
AI02599
19
A0-A18
W
DQ0-DQ14
VCC
M29W800AT
M29W800AB
E
VSS
15
G
RP
DQ15A–1
BYTE
RB
44
1
SO44 (M)
FBGA
TSOP48 (N)
12 x 20mm
LFBGA48 (ZA)
8 x 6 solder balls
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W800AB100ZA6T | 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W800AB100ZA1T | 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W800AB100N6T | 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W800AB100N5T | 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W800AB100ZA5T | 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29W800AT120M1 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 120n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800AT120N1 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 120n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800AT120N6 | 功能描述:闪存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800AT120ZA6 | 功能描述:闪存 LFBGA48 1MX8 512KX16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800AT80N1 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 80ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。