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参数资料
| 型号： | M29W800DB45N6E |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆（1兆x8或512KB的x16插槽，引导块）3V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 18/42页 |
| 文件大小： | 275K |
| 代理商： | M29W800DB45N6E |
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M29W800DT, M29W800DB
18/42
Table 7. Status Register Bits
Note: Unspecified data bits should be ignored.
Figure 8. Data Polling Flowchart
Figure 9. Data Toggle Flowchart
Operation
Address
DQ7
DQ6
DQ5
DQ3
DQ2
RB
Program
Any Address
DQ7
Toggle
0
–
–
0
Program During Erase
Suspend
Any Address
DQ7
Toggle
0
–
–
0
Program Error
Any Address
DQ7
Toggle
1
–
–
0
Chip Erase
Any Address
0
Toggle
0
1
Toggle
0
Block Erase before
timeout
Erasing Block
0
Toggle
0
0
Toggle
0
Non-Erasing Block
0
Toggle
0
0
No Toggle
0
Block Erase
Erasing Block
0
Toggle
0
1
Toggle
0
Non-Erasing Block
0
Toggle
0
1
No Toggle
0
Erase Suspend
Erasing Block
1
No Toggle
0
–
Toggle
1
Non-Erasing Block
Data read as normal
1
Erase Error
Good Block Address
0
Toggle
1
1
No Toggle
0
Faulty Block Address
0
Toggle
1
1
Toggle
0
READ DQ5 & DQ7
at VALID ADDRESS
START
READ DQ7
at VALID ADDRESS
FAIL
PASS
AI03598
D=
DATA
YES
NO
YES
NO
DQ5
= 1
D=
DATA
YES
NO
READ DQ6
START
READ DQ6
TWICE
FAIL
PASS
AI01370C
D=
TOGGLE
NO
NO
YES
YES
DQ5
= 1
NO
YES
D=
TOGGLE
READ
DQ5 & DQ6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W800DB45N6F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
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| M29W800DB45ZA1F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| M29W800DB45ZE6E | 功能描述:闪存 8 MBIT (1MB) 3V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB45ZE6F | 功能描述:闪存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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