参数资料
型号: M29W800DB45N6F
厂商: 意法半导体
英文描述: 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
中文描述: 8兆(1兆x8或512KB的x16插槽,引导块)3V电源快闪记忆体
文件页数: 28/42页
文件大小: 275K
代理商: M29W800DB45N6F
M29W800DT, M29W800DB
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Figure 18. TFBGA48 6x9mm – 6x8 ball array – 0.80mm pitch, Bottom View Package Outline
Note: Drawing is not to scale.
Table 18. TFBGA48 6x9mm – 6x8 active ball array – 0.80mm pitch, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.200
0.0472
A1
0.200
0.0079
A2
1.000
0.0394
b
0.400
0.350
0.450
0.0157
0.0138
0.0177
D
6.000
5.900
6.100
0.2362
0.2323
0.2402
D1
4.000
0.1575
ddd
0.100
0.0039
E
9.000
8.900
9.100
0.3543
0.3504
0.3583
e
0.800
0.0315
E1
5.600
0.2205
FD
1.000
0.0394
FE
1.700
0.0669
SD
0.400
0.0157
SE
0.400
0.0157
E1
E
D1
D
e
b
A2
A1
A
BGA-Z00
ddd
FD
FE
SD
SE
e
BALL "A1"
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PDF描述
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M29W800DB45ZE6E 功能描述:闪存 8 MBIT (1MB) 3V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
M29W800DB45ZE6F 功能描述:闪存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
M29W800DB45ZE6F TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 45NS 48TFBGA
M29W800DB70M6 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
M29W800DB70N1 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel