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参数资料
| 型号： | M29W800DB45ZE6E |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆（1兆x8或512KB的x16插槽，引导块）3V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 1/42页 |
| 文件大小： | 275K |
| 代理商： | M29W800DB45ZE6E |
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September 2004
M29W800DT
M29W800DB
8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)
3V Supply Flash Memory
FEATURES SUMMARY
SUPPLY VOLTAGE
–
V
CC
=
2.7V to 3.6V for Program, Erase
and Read
ACCESS TIMES: 45, 70, 90ns
PROGRAMMING TIME
–
10μs per Byte/Word typical
19 MEMORY BLOCKS
–
1 Boot Block (Top or Bottom Location)
–
2 Parameter and 16 Main Blocks
PROGRAM/ERASE CONTROLLER
–
Embedded Byte/Word Program
algorithms
ERASE SUSPEND and RESUME MODES
–
Read and Program another Block during
Erase Suspend
UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND
–
Faster Production/Batch Programming
TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION
MODE
COMMON FLASH INTERFACE
–
64 bit Security Code
LOW POWER CONSUMPTION
–
Standby and Automatic Standby
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per
BLOCK
ELECTRONIC SIGNATURE
–
Manufacturer Code: 0020h
–
Top Device Code M29W800DT: 22D7h
–
Bottom Device Code M29W800DB:
225Bh
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Figure 1. Packages
TSOP48 (N)
12 x 20mm
TFBGA48 (ZA)
6 x 9 mm
FBGA
SO44 (M)
TFBGA48 (ZE)
6 x 8mm
FBGA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W800DB45ZE6F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB45ZE6T | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB70M1E | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB70M1F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB70M6E | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29W800DB45ZE6F | 功能描述:闪存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB45ZE6F TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 45NS 48TFBGA |
| M29W800DB70M6 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB70N1 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB70N3T | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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