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参数资料
| 型号： | M29W800DB70N1T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85 |
| 中文描述： | 8兆（1兆x8或512KB的x16插槽，引导块）3V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 29/41页 |
| 文件大小： | 219K |
| 代理商： | M29W800DB70N1T |
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M29W800DT, M29W800DB
PART NUMBERING
Table 16. Ordering Information Scheme
Devices are shipped from the factory with the memory content bits erased to ’1’.
For a list of available options (Speed, Package, etc...) or for further information on any aspect of this de-
vice, please contact the ST Sales Office nearest to you.
Example:
M29W800DB
90
N
6
T
Device Type
M29
Operating Voltage
W = V
CC
= 2.7 to 3.6V
Device Function
800D = 8 Mbit (x8/x16), Boot Block
Array Matrix
T = Top Boot
B = Bottom Boot
Speed
70 = 70 ns
90 = 90 ns
Package
M = SO44
N = TSOP48: 12 x 20 mm
ZA = TFBGA48: 0.80mm pitch
Temperature Range
6 = –40 to 85 °C
1 = 0 to 70 °C
Option
T = Tape & Reel Packing
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W800DB70N6T | Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29W800DB70N3T | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB70N6 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB-70N6 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:NOR Flash, 512K x 16, 48 Pin, Plastic, TSSOP |
| M29W800DB70N6E | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB70N6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH BOTTOM BLOCK 8MB SMD 29W800 |
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