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参数资料
型号： M29W800DB70N6T
厂商： 意法半导体
英文描述： Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85
中文描述： 8兆（1兆x8或512KB的x16插槽，引导块）3V电源快闪记忆体
文件页数： 39/41页
文件大小： 219K
代理商： M29W800DB70N6T
39/41
M29W800DT, M29W800DB
Figure 18. In-System Equipment Block Protect Flowchart
AI03471
WRITE 60h
ADDRESS = BLOCK ADDRESS
A0 = VIL, A1 = VIH, A6 = VIL
n = 0
Wait 100μs
WRITE 40h
ADDRESS = BLOCK ADDRESS
A0 = VIL, A1 = VIH, A6 = VIL
RP = VIH
++n
= 25
START
FAIL
PASS
YES
NO
DATA
=
01h
YES
NO
RP = VIH
Wait 4μs
V
P
S
E
READ DATA
ADDRESS = BLOCK ADDRESS
A0 = VIL, A1 = VIH, A6 = VIL
RP = VID
ISSUE READ/RESET
COMMAND
ISSUE READ/RESET
COMMAND
WRITE 60h
ADDRESS = BLOCK ADDRESS
A0 = VIL, A1 = VIH, A6 = VIL
相关PDF资料
PDF描述
M29W800DB70ZA1T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85
M29W800DB70ZA6T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85
M29W800DB90N1T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85
M29W800DB90N6T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85
M29W800DB90ZA1T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SOT -40 to 85
相关代理商/技术参数
参数描述
M29W800DB70ZA6 制造商:STMicroelectronics 功能描述:NOR Flash, 512K x 16, 48 Pin, Plastic, BGA
M29W800DB70ZE6 功能描述:闪存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
M29W800DB70ZE6E 功能描述:闪存 1Mx8 ot 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
M29W800DB70ZE6E_NUD 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:
M29W800DB70ZE6F 功能描述:闪存 STD FLASH 8 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
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