- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录359053 > M29W800DB70ZA6T (意法半导体) Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | M29W800DB70ZA6T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85 |
| 中文描述： | 8兆（1兆x8或512KB的x16插槽，引导块）3V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 24/41页 |
| 文件大小： | 219K |
| 代理商： | M29W800DB70ZA6T |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页当前第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页
M29W800DT, M29W800DB
24/41
Figure 14. Write AC Waveforms, Chip Enable Controlled
Table 14. Write AC Characteristics, Chip Enable Controlled
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
M29W800D
Unit
70
90
t
AVAV
t
WC
Address Valid to Next Address Valid
Min
70
90
ns
t
WLEL
t
WS
Write Enable Low to Chip Enable Low
Min
0
0
ns
t
ELEH
t
CP
Chip Enable Low to Chip Enable High
Min
45
50
ns
t
DVEH
t
DS
Input Valid to Chip Enable High
Min
45
50
ns
t
EHDX
t
DH
Chip Enable High to Input Transition
Min
0
0
ns
t
EHWH
t
WH
Chip Enable High to Write Enable High
Min
0
0
ns
t
EHEL
t
CPH
Chip Enable High to Chip Enable Low
Min
30
30
ns
t
AVEL
t
AS
Address Valid to Chip Enable Low
Min
0
0
ns
t
ELAX
t
AH
Chip Enable Low to Address Transition
Min
45
50
ns
t
GHEL
Output Enable High Chip Enable Low
Min
0
0
ns
t
EHGL
t
OEH
Chip Enable High to Output Enable Low
Min
0
0
ns
t
EHRL (1)
t
BUSY
Program/Erase Valid to RB Low
Max
30
35
ns
t
VCHWL
t
VCS
V
CC
High to Write Enable Low
Min
50
50
μs
AI05450
E
G
W
A0-A18/
A–1
DQ0-DQ7/
DQ8-DQ15
VALID
VALID
VCC
tVCHWL
tEHWH
tEHEL
tWLEL
tAVEL
tEHGL
tELAX
tEHDX
tAVAV
tDVEH
tELEH
tGHEL
RB
tEHRL
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W800DB90N1T | Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85 |
| M29W800DB90N6T | Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85 |
| M29W800DB90ZA1T | Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SOT -40 to 85 |
| M29W800DB90ZA6T | Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SOT -40 to 85 |
| M29W800DT | Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-DSBGA -40 to 85 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29W800DB70ZE6 | 功能描述:闪存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB70ZE6E | 功能描述:闪存 1Mx8 ot 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB70ZE6E_NUD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| M29W800DB70ZE6F | 功能描述:闪存 STD FLASH 8 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB70ZM6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 70NS TFBGA |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。