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参数资料
| 型号： | M301N2F8FP |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 16-BIT, FLASH, 16 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP48 |
| 封装： | 7 X 7 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-48 |
| 文件页数： | 19/33页 |
| 文件大小： | 241K |
| 代理商： | M301N2F8FP |
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Rev.1.00
Oct 20, 2004
page 24 of 29
M16C/1N Group
5. Electrical Characteristics
REJ03B0002-0100Z
Table 5.6 Flash memory version electrical characteristics
(Unless otherwise noted: Vcc = 4.2 to 5.5 V, Topr= 0 to 60oC)
Block erasing time
2Kbyte block
8Kbyte block
s
9
600
9
0.2
75
cycle
100 (Note 3)
year
10
0.4
16Kbyte block
s
9
0.7
32Kbyte block
s
9
1.2
Word programming time
Data retention
Erase/write cycle (Note 2)
td(SR-ES)
Erasure-suspend
request
(Interrupt request)
FMR46
Min.
Typ. (Note 1)
Max.
td(SR-ES)
-
ms
20
Symbol
Parameter
Unit
Standard
Transition time from erasure operation
to erase-suspend
Note1: Vcc=5.0V, Topr=25C
Note2: Definition of Programming and erasure times
The Programming and erasure times are defined to be per-block erasure times. For example a case where a 2K-
byte block is programmed in 1,024 operations by writing one word at a time and erased thereafter. Performing
multiple programs to the same address before an erase operation is prohibited.
Note 3: Minimum number of programming/erasure for which operation is guaranteed.
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