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参数资料
| 型号： | M306NMFHGP |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 16-BIT, FLASH, 24 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP128 |
| 封装： | 14 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-128 |
| 文件页数： | 77/86页 |
| 文件大小： | 724K |
| 代理商： | M306NMFHGP |
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Rev.2.10
Aug 25, 2006
page 77 of 81
REJ03B0058-0210
M16C/6N Group (M16C/6NK, M16C/6NM)
5. Electric Characteristics (T/V-ver.)
Under development
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Table 5.53 Flash Memory Version Electrical Characteristics
(1)
2
150
ms
s
Time for internal power supply stabilization during powering-on
STOP release time
Low power dissipation mode wait mode release time
td(P-R)
td(R-S)
td(W-S)
Symbol
Parameter
Min.
Standard
Unit
Measuring
Condition
Max.
Typ.
VCC = 4.2 to 5.5 V
Table 5.55 Power Supply Circuit Timing Characteristics
CPU clock
VCC
td(P-R)
td(P-R)
Time for internal power supply
stabilization during powering-on
td(R-S)
STOP release time
td(W-S)
Low power dissipation mode
wait mode release time
CPU clock
td(W-S)
td(R-S)
(b)
(a)
Interrupt for
(a) Stop mode release
or
(b) Wait mode release
VCC = 5.0 ± 0.5 V
Flash Read Operation Voltage
Flash Program, Erase Voltage
VCC = 4.2 to 5.5 V
NOTES:
1. Referenced to VCC = 4.5 to 5.5 V, Topr = 0 to 60°C unless otherwise specified.
2. Programming and erasure endurance refers to the number of times a block erase can be performed.
If the programming and erasure endurance is n (n = 100), each block can be erased n times.
For example, if a 4-Kbyte block A is erased after writing 1 word data 2,048 times, each to a different address,
this counts as one programming and erasure endurance. Data cannot be written to the same address more
than once without erasing the block (rewrite prohibited).
3. n denotes the number of blocks to erase.
Table 5.54 Flash Memory Version Program/Erase Voltage and Read Operation Voltage Characteristics
(at Topr = 0 to 60°C)
200
4
n (3)
15
cycle
s
Programming and erasure endurance
(2)
Word program time (VCC = 5.0 V)
Lock bit program time
Block erase time
4-Kbyte block
(VCC = 5.0 V)
8-Kbyte block
32-Kbyte block
64-Kbyte block
Erase all unlocked blocks time
Flash memory circuit stabilization wait time
Parameter
Min.
Standard
Unit
Max.
Typ.
25
0.3
0.5
0.8
Symbol
-
tps
100
Figure 5.20 Power Supply Circuit Timing Diagram
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PDF描述 |
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| MB95F108ANWPFM | 8-BIT, FLASH, 16.25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP64 |
| MC68HC705P6AMDWE | 8-BIT, OTPROM, 2.1 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO28 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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