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参数资料
| 型号： | M30876FJBGP |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, FLASH, 32 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100 |
| 封装： | 14 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100 |
| 文件页数： | 53/93页 |
| 文件大小： | 2401K |
| 代理商： | M30876FJBGP |
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5. Electrical Characteristics
Page 55 of 85
Table 5.10
Flash Memory Electrical Characteristics (VCC1 = 4.5 V to 5.5 V, 3.0 to 3.6 V,
Topr = 0 to 60
°C unless otherwise specified)
NOTE:
1. If erase and program endurance is n times (n = 100), each block can be erased n times. For example, if a 4-
Kbyte block A is erased after programming a word data 2,048 times, each to a different address, this counts as
one erase and program time. Data can not be programmed to the same address more than once without
erasing the block. (rewrite prohibited)
Symbol
Parameter
Measurement Condition
Standard
Unit
Min.
Typ.
Max.
Erase and program endurance(1)
100
times
Word program time (16 bits) (VCC1 = 5.0 V, Topr = 25
°C)
25
300
μs
Lock bit program time
25
300
μs
Block erase time
(VCC1 = 5.0 V, Topr = 25
°C)
4-Kbyte block
0.3
4
s
8-Kbyte block
0.3
4
s
32-Kbyte block
0.5
4
s
64-Kbyte block
0.8
4
s
tps
Wait time to stabilize flash memory circuit
15
μs
Data hold time (Topr = -40 to 85
°C)
10
years
VCC1 = VCC2 = 5V
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PDF描述 |
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