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参数资料
| 型号： | M312L5628BT0-A2 |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Registered Module |
| 中文描述： | DDR SDRAM的注册模块 |
| 文件页数： | 11/23页 |
| 文件大小： | 258K |
| 代理商： | M312L5628BT0-A2 |
DDR SDRAM
512MB, 1GB, 2GB TSOP Registered DIMM
Revison 1.0 December, 2003
DDR SDRAM IDD spec table
M383(12)L2920BTS [ (128M x 4) * 18 , 1GB Module ]
(V
DD
=2.7V, T = 10
C)
M383(12)L5628BT1(0) [ (st.256M x 4) * 18 , 2GB Module ]
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.
Symbol
AA(DDR266@CL=2)
A2(DDR266@CL=2)
B0(DDR266@CL=2.5)
A0(DDR200@CL=2)
Unit
Notes
IDD0
2,610
2,610
2,610
2,610
mA
IDD1
3,010
3,010
3,010
3,010
mA
IDD2P
420
420
420
420
mA
IDD2F
1,170
1,170
1,170
1,170
mA
IDD2Q
690
690
690
690
mA
IDD3P
870
870
870
870
mA
IDD3N
1,530
1,530
1,530
1,530
mA
IDD4R
3,330
3,330
3,330
3,330
mA
IDD4W
3,420
3,420
3,420
3,420
mA
IDD5
4,950
4,950
4,950
4,950
mA
IDD6
Normal
420
420
420
420
mA
Low power
380
380
380
380
mA
Optional
IDD7A
6,750
6,750
6,750
6,750
mA
(V
DD
=2.7V, T = 10
C)
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.
Symbol
AA(DDR266@CL=2)
A2(DDR266@CL=2)
B0(DDR266@CL=2.5)
A0(DDR200@CL=2)
Unit
Notes
IDD0
3,760
3,760
3,760
3,760
mA
IDD1
4,210
4,210
4,210
4,210
mA
IDD2P
760
760
760
760
mA
IDD2F
1,960
1,960
1,960
1,960
mA
IDD2Q
1,300
1,300
1,300
1,300
mA
IDD3P
1,660
1,660
1,660
1,660
mA
IDD3N
2,680
2,680
2,680
2,680
mA
IDD4R
4,480
4,480
4,480
4,480
mA
IDD4W
4,570
4,570
4,570
4,570
mA
IDD5
6,100
6,100
6,100
6,100
mA
IDD6
Normal
760
760
760
760
mA
Low power
680
680
680
680
mA
Optional
IDD7A
7,900
7,900
7,900
7,900
mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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