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参数资料
| 型号： | M312L5720BG0-B0 |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Registered Module |
| 中文描述： | DDR SDRAM的注册模块 |
| 文件页数： | 6/18页 |
| 文件大小： | 274K |
| 代理商： | M312L5720BG0-B0 |
DDR SDRAM
1GB, 2GB Registered DIMM
Rev. 1.1 August. 2003
1GB, 128M x 72 ECC Module (M312L2920BG0)
(Populated as 1 bank of x4 DDR SDRAM Module)
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQS0
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQS9
(DM0)
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQS11
(DM2)
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQS12
(DM3)
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQS13
(DM4)
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQS14
(DM5)
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ60
DQ61
DQ62
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQS16
(DM7)
RCS0
DQS4
DQS1
DQS5
DQS2
DQS3
DQS15
(DM6)
DQS6
DQS7
CB4
CB6
CB7
CB0
CB1
CB2
CB3
DQS8
DQS17
(DM8)
Notes:
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recom-
mended but may be changed.
2. DQ/DQS/DM/CKE/S relationships must
be maintained as shown.
3. DQ, DQS, DM resistors: 22 Ohms.
RAS
CAS
CKE0
BA0-BA1
A0-A12
CS0
RCS0_2
RBA0 - RBA1
RA0 - RA12
RRAS
RCAS
RCKE0A
RCKE0B
RCS0_1
RWE
BA0 -BA1 : DDR SDRAM DQ0 - D17
A0 -A12 :DDR SDRAM D0 - D17
RAS : DDR SDRAM D0 - D17
CAS : DDR SDRAM DQ0 - D17
CKE : DDR SDRAM D0 - D8
CKE : DDR SDRAM D9 - D17
WE:DDR SDRAM D0 - D17
R
E
G
I
S
T
E
R
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D8
CS
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D0
CS
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D1
CS
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D2
CS
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D3
CS
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D4
CS
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D5
CS
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D6
CS
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D7
CS
DM
VSS
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D17
CS
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D9
CS
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D10
CS
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D11
CS
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D12
CS
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D13
CS
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D14
CS
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D15
CS
DM
DQS
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
D16
CS
DM
DQS10
(DM1)
RESET
PCK
PCK
WE
PLL*
CK0,CK0
* Wire per Clock Loading table/wiring Diagrams
A0
Serial PD
A1
A2
SA0
SA1
SA2
SCL
WP
SDA
V
SS
D0 - D17
D0 - D17
V
DD
/V
DDQ
D0 - D17
D0 - D17
VREF
V
DDSPD
SPD
Functional Block Diagram
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M312L5720BG0-CB3 | DDR SDRAM Registered Module |
| M347S6453CTS-C7C | M374S6453CTS PC133/PC100 Unbuffered SDRAM DIMM |
| M347S6453CTS-C1H | M374S6453CTS PC133/PC100 Unbuffered SDRAM DIMM |
| M347S6453CTS-C1L | M374S6453CTS PC133/PC100 Unbuffered SDRAM DIMM |
| M347S6453CTS-C7A | M374S6453CTS PC133/PC100 Unbuffered SDRAM DIMM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M312L5720BG0-CB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module |
| M312L5720CZ3-CCC00 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:512 DDR SDRAM MODUL X72 BOC(LF) - Trays |
| M312L6420ETS | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Registered Module |
| M312L6420HUS | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Product Guide |
| M312L6420HUS-CB000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:256 DDR SDRAM MODUL X72 TSOP2-400(LF) - Trays |
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