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参数资料
| 型号： | M36W832BE85ZA1S |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66 |
| 封装： | 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66 |
| 文件页数： | 60/64页 |
| 文件大小： | 897K |
| 代理商： | M36W832BE85ZA1S |
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M36W832TE, M36W832BE
REVISION HISTORY
Table 36. Document Revision History
Date
Version
Revision Details
16-Jul-2002
1.0
First Issue
29-Nov-2002
2.0
Revision History moved to end of document. Flash and SRAM components updated.
Table 2, Main Operation Modes, modified.
Flash Device: “Quadruple Word Program Command” added, “Double Word Program
Command Codes Table added, DQ0, DQ2, DQ3-DQ7 and DQ8-DQ15 parameters
modified for Lock in Table 7, Flash Read Protection Register and Lock Register.
70ns Speed Class added. 100ns Speed Class removed.
SRAM device: “Data Retention” on Page 25 and SRAM read and write AC
SRAM Block Diagram, added.
24-Mar-2003
3.0
Document promoted to full Datasheet status. Minor corrections to SRAM Block
Diagram. Input Rise and Fall Time for 70ns speed class modified in Operating and AC
Measurement Conditions Table. LFBGA Connections and Daisy Chain pin numbers
modified.
26-May-2003
3.1
Special tape option added to ordering information scheme
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| M36W832BE85ZA1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832BE85ZA6S | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832BE85ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832BEZA | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832TE | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
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