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参数资料
| 型号： | M38039FFFP |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 8.4 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP64 |
| 封装： | 14 X 14 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, QFP-64 |
| 文件页数： | 83/117页 |
| 文件大小： | 1873K |
| 代理商： | M38039FFFP |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页当前第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页
Rev.3.11
Apr 5, 2006
Page 68 of 113
REJ03B0017-0311
3803 Group (Spec.H)
FLASH MEMORY MODE
The 3803 group (Spec.H)’s flash memory version has the flash
memory that can be rewritten with a single power source.
For this flash memory, three flash memory modes are available
in which to read, program, and erase: the parallel I/O and
standard serial I/O modes in which the flash memory can be
manipulated using a programmer and the CPU rewrite mode in
which the flash memory can be manipulated by the Central
Processing Unit (CPU).
This flash memory version has some blocks on the flash memory
as shown in Figure 64 and each block can be erased.
In addition to the ordinary User ROM area to store the MCU
operation control program, the flash memory has a Boot ROM
area that is used to store a program to control rewriting in CPU
rewrite and standard serial I/O modes. This Boot ROM area has
had a standard serial I/O mode control program stored in it when
shipped from the factory. However, the user can write a rewrite
control program in this area that suits the user’s application
system. This Boot ROM area can be rewritten in only parallel I/O
mode.
Summary
Table 11 lists the summary of the 3803 Group (Spec.H) flash
memory version.
NOTE:
1. The Boot ROM area has had a standard serial I/O mode control program stored in it when shipped from the factory.
This Boot ROM area can be erased and written in only parallel I/O mode.
Table 11
Summary of 3803 group (Spec.H)’s flash memory version
Item
Specifications
Power source voltage (Vcc)
VCC = 2.7 to 5.5 V
Program/Erase VPP voltage (VPP)VCC = 2.7 to 5.5 V
Flash memory mode
3 modes; Parallel I/O mode, Standard serial I/O mode, CPU
rewrite mode
Erase block division
User ROM area/Data ROM area
Refer to Figure.64.
Boot ROM area (1)
Not divided (4K bytes)
Program method
In units of bytes
Erase method
Block erase
Program/Erase control method
Program/Erase control by software command
Number of commands
5 commands
Number of program/Erase times
100
ROM code protection
Available in parallel I/O mode and standard serial I/O mode
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