- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录383302 > M470T2953Bxx (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | M470T2953Bxx |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC |
| 中文描述： | 200pin缓冲的SODIMM基于512Mb乙芯片64位非ECC |
| 文件页数： | 5/20页 |
| 文件大小： | 270K |
| 代理商： | M470T2953BXX |
Rev. 1.1 Mar. 2005
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered SODIMMs
DDR2 SDRAM
Functional Block Diagram:
512MB, 64Mx64 Module
(Populated as 2 rank of x16 DDR2 SDRAMs)
M470T6554CZ0
S0
DQS1
DQS1
DM1
CS
DQ8
DQ10
DQ11
DQ13
DQ14
I/O 0
I/O 2
I/O 3
I/O 5
I/O 6
UDQS
D0
LDQS
DQS0
DQS0
DM0
DQ0
DQ2
DQ3
DQ5
DQ6
I/O 8
I/O 10
I/O 11
I/O 13
I/O 14
DQS5
DQS5
DM5
CS
DQ40
DQ42
DQ43
DQ45
DQ46
I/O 0
I/O 2
I/O 3
I/O 5
I/O 6
UDQS
D2
LDQS
DQS4
DQS4
DM4
DQ32
DQ34
DQ35
DQ37
DQ38
I/O 8
I/O 10
I/O 11
I/O 13
I/O 14
DQS3
DQS3
DM3
CS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ28
DQ30
DQ31
I/O 0
I/O 1
I/O 3
I/O 4
I/O 6
I/O 7
UDQS
D1
LDQS
DQS2
DQS2
DM2
DQ16
DQ17
DQ19
DQ20
DQ22
DQ23
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 12
I/O 14
I/O 15
DQS7
DQS7
DM7
CS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ60
DQ62
DQ63
I/O 0
I/O 1
I/O 3
I/O 4
I/O 6
I/O 7
UDQS
D3
LDQS
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 12
I/O 14
I/O 15
C
K
E
O
D
T
C
K
E
O
D
T
C
K
E
O
D
T
C
K
E
O
D
T
CS
I/O 0
I/O 2
I/O 3
I/O 5
I/O 6
UDQS
D4
LDQS
I/O 8
I/O 10
I/O 11
I/O 13
I/O 14
CS
I/O 0
I/O 1
I/O 3
I/O 4
I/O 6
I/O 7
UDQS
D5
LDQS
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 12
I/O 14
I/O 15
C
K
E
O
D
T
C
K
E
O
D
T
CS
I/O 0
I/O 2
I/O 3
I/O 5
I/O 6
UDQS
D6
LDQS
I/O 8
I/O 10
I/O 11
I/O 13
I/O 14
CS
I/O 0
I/O 1
I/O 3
I/O 4
I/O 6
I/O 7
UDQS
D7
LDQS
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 12
I/O 14
I/O 15
C
K
E
O
D
T
C
K
E
O
D
T
S1
CKE0
CKE1
ODT0
ODT1
SPD
SA0
SA1
SCL
SDA
V
SS
DDR2 SDRAMs D0 - D7, SPD
V
REF
DDR2 SDRAMs D0 - D7
DDR2 SDRAMs D0 - D7, V
DD
and V
DD
Q
V
DD
V
DD
SPD
Serial PD
WP
SCL
A0
A1
A2
A0 - A13
DDR2 SDRAMs D0 - D7
RAS
DDR2 SDRAMs D0 - D7
CAS
DDR2 SDRAMs D0 - D7
WE
DDR2 SDRAMs D0 - D7
BA0 - BA1
DDR2 SDRAMs D0 - D7
3
+ 5%
Notes :
1. DQ,DM, DQS/DQS resistors : 22 Ohms
±
5%.
2. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors : 3.0 Ohms
±
5%.
* Wire per Clock Loading
Table/Wiring Diagrams
* Clock Wiring
Clock Input
*CK0/CK0
*CK1/CK1
DDR2 SDRAMs
4 DDR2 SDRAMs
4 DDR2 SDRAMs
3
+ 5%
DQS6
DQS6
DM6
DQ48
DQ49
DQ51
DQ52
DQ54
DQ55
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M470T2953BY0 | 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC |
| M470T3354CZ0-D5 | DDR2 Unbuffered SODIMM |
| M470T3354CZ0-E6 | DDR2 Unbuffered SODIMM |
| M470T6554CZ0-D5 | DDR2 Unbuffered SODIMM |
| M470T6554CZ0-E6 | DDR2 Unbuffered SODIMM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M470T2953BY0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC |
| M470T2953BY0-LD5/CC | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC |
| M470T2953BY3-LD5/CC | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC |
| M470T2953CZ0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SODIMM |
| M470T2953CZ0-CC | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SODIMM |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。