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参数资料
| 型号： | M470T6554CZ0-CD6 |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR2 Unbuffered SODIMM |
| 中文描述： | 无缓冲DDR2内存的SODIMM |
| 文件页数： | 3/20页 |
| 文件大小： | 270K |
| 代理商： | M470T6554CZ0-CD6 |
Rev. 1.1 Mar. 2005
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered SODIMMs
Pin Configurations (Front side/Back side)
Pin
Front
Pin
Back
Pin
Front
1
V
REF
2
V
SS
51
DQS2
3
V
SS
4
DQ4
53
5
DQ0
6
DQ5
55
7
DQ1
8
V
SS
57
9
V
SS
10
DM0
59
11
DQS0
12
V
SS
61
13
DQS0
14
DQ6
63
15
V
SS
16
DQ7
65
17
DQ2
18
V
SS
67
19
DQ3
20
DQ12
69
21
V
SS
22
DQ13
71
23
DQ8
24
V
SS
73
25
DQ9
26
DM1
75
27
V
SS
28
V
SS
77
29
DQS1
30
CK0
79
31
DQS1
32
CK0
81
33
V
SS
34
V
SS
83
35
DQ10
36
DQ14
85
37
DQ11
38
DQ15
87
39
V
SS
40
V
SS
89
41
V
SS
42
V
SS
91
43
DQ16
44
DQ20
93
45
DQ17
46
DQ21
95
47
V
SS
48
V
SS
97
49
DQS2
50
NC
99
DDR2 SDRAM
SAMSUNG ELECTRONICS CO., Ltd. reserves the right to change products and specifications without notice.
Note :
NC = No Connect; NC, TEST(pin 163)is for bus analysis tool and is not connected on normal memory modules.
Pin
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
90
92
94
96
98
100
Back
DM2
V
SS
DQ22
DQ23
V
SS
DQ28
DQ29
V
SS
DQS3
DQS3
V
SS
DQ30
DQ31
V
SS
NC/CKE1
V
DD
NC
NC
V
DD
A11
A7
A6
V
DD
A4
A2
Pin
101
103
105
107
109
111
113
115
117
119
121
123
125
127
129
131
133
135
137
139
141
143
145
147
149
Front
A1
V
DD
A10/AP
BA0
WE
V
DD
CAS
NC/S1
V
DD
NC/ODT1
V
SS
DQ32
DQ33
V
SS
DQS4
DQS4
V
SS
DQ34
DQ35
V
SS
DQ40
DQ41
V
SS
DM5
V
SS
Pin
102
104
106
108
110
112
114
116
118
120
122
124
126
128
130
132
134
136
138
140
142
144
146
148
150
Back
A0
V
DD
BA1
RAS
S0
V
DD
ODT0
A13
V
DD
NC
V
SS
DQ36
DQ37
V
SS
DM4
V
SS
DQ38
DQ39
V
SS
DQ44
DQ45
V
SS
DQS5
DQS5
V
SS
Pin
151
153
155
157
159
161
163
165
167
169
171
173
175
177
179
181
183
185
187
189
191
193
195
197
199
Front
DQ42
DQ43
V
SS
DQ48
DQ49
V
SS
NC, TEST
V
SS
DQS6
DQS6
V
SS
DQ50
DQ51
V
SS
DQ56
DQ57
V
SS
DM7
V
SS
DQ58
DQ59
V
SS
SDA
SCL
V
DD
SPD
Pin
152
154
156
158
160
162
164
166
168
170
172
174
176
178
180
182
184
186
188
190
192
194
196
198
200
Back
DQ46
DQ47
V
SS
DQ52
DQ53
V
SS
CK1
CK1
V
SS
DM6
V
SS
DQ54
DQ55
V
SS
DQ60
DQ61
V
SS
DQS7
DQS7
V
SS
DQ62
DQ63
V
SS
SA0
SA1
V
SS
DQ18
DQ19
V
SS
DQ24
DQ25
V
SS
DM3
NC
V
SS
DQ26
DQ27
V
SS
CKE0
V
DD
NC
BA2
V
DD
A12
A9
A8
V
DD
A5
A3
Pin Description
Pin Name
Function
Pin Name
Function
CK0,CK1
Clock Inputs, positive line
SDA
SPD Data Input/Output
CK0,CK1
Clock Inputs, negative line
SA1,SA0
SPD address
CKE0,CKE1
Clock Enables
DQ0~DQ63
Data Input/Output
RAS
Row Address Strobe
DM0~DM7
Data Masks
CAS
Column Address Strobe
DQS0~DQS7
Data strobes
WE
Write Enable
DQS0~DQS7
Data strobes complement
S0,S1
Chip Selects
TEST
Logic Analyzer specific test pin (No connect on
So-DIMM)
A0~A9, A11~A13
Address Inputs
V
DD
Core and I/O Power
A10/AP
Address Input/Autoprecharge
V
SS
Ground
BA0,BA1
SDRAM Bank Address
V
REF
Input/Output Reference
ODT0,ODT1
On-die termination control
V
DD
SPD
SPD Power
SCL
Serial Presence Detect(SPD) Clock Input
NC
Spare pins, No connect
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M470T2953Bxx | 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC |
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| M470T3354CZ0-D5 | DDR2 Unbuffered SODIMM |
| M470T3354CZ0-E6 | DDR2 Unbuffered SODIMM |
| M470T6554CZ0-D5 | DDR2 Unbuffered SODIMM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M470T6554CZ0-CE6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
| M470T6554CZ0-CE7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
| M470T6554CZ0-CLCC | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
| M470T6554CZ0-CLD5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
| M470T6554CZ0-CLE6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
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