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参数资料
| 型号： | M485L1624FU0-CA2 |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Ring Core Bead Ferrite; Impedance:200ohm; Cable Diameter Max:0.35"; Latch Height:0.2"; Width (Latch Included):0.885"; External Height:0.79"; External Width:0.77"; Length:1.45" |
| 中文描述： | 的DDR SDRAM SODIMM |
| 文件页数： | 9/20页 |
| 文件大小： | 264K |
| 代理商： | M485L1624FU0-CA2 |
DDR SDRAM
128MB, 256MB SODIMM Pb-Free
Revision 1.2 Oct. 2004
M470L1624FU0 (16M x 64, 128MB Module)
(V
DD
=2.7V, T
= 10
°
C
)
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.
Symbol
IDD0
IDD1
IDD2P
IDD2F
IDD2Q
IDD3P
IDD3N
IDD4R
IDD4W
IDD5
B3(DDR333@CL=2.5)
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500
12
100
80
140
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800
760
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6
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Unit
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
Notes
IDD6
Normal
Low power
IDD7A
Optional
M470L3224FU0 (32M x 64, 256MB Module)
(V
DD
=2.7V, T
= 10
°
C
)
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.
Symbol
IDD0
IDD1
IDD2P
IDD2F
IDD2Q
IDD3P
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1,380
Unit
mA
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mA
mA
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mA
Notes
IDD6
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Low power
IDD7A
Optional
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PDF描述 |
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