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参数资料
| 型号： | M57160AL-01 |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DRVR FOR IGBT MOD |
| 标准包装： | 13 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 400ns |
| 电流 - 峰： | 5A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 1200V |
| 电源电压： | 14 V ~ 15 V |
| 工作温度： | -20°C ~ 60°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 14-SIP（12 引线） |
| 供应商设备封装： | 模块 |
| 包装： | 散装 |
| 配用： | BG1A-F-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT |
Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
M57160AL-01
Hybrid IC for IGBT Gate Driver
Definition of Characteristics
Application Example for Single Power Supply
1. Switching Operation
3.9k
VIN
8
1
5
VIN
RG
VOUT
tr
tf
14
M57160AL-01 4
+
R1
+
VCC
RTC
CIRCUIT
90%
13
100 μ F
+
6
50%
10%
VCC = 20V
R1 = 3.3k ?
VZ (DZ1) = 5.1V
DZ1
Crev
Crev = 47 F min.
Note: Input signals must be delayed
tPLH
tPHL
until Crev is fully charged.
2. The Timing When the Over Current or Short Circuit
Protection Operates
Application Example for High Power Module
3.9k
VI
0V
8
1
2
Ctrip
VO
0V
-3V
ttrip 1,2
10V
ttimer
10V
5V
14
13
4
M57160AL-01 5
VCC
VEE
+
C1
+
C2
Q1
RG
Q2
RTC
8 PIN OUTPUT
6
VCC = 15V
VEE = 5V
Ctrip = 0 ~ 47pF
C1 ? C2 ≥ 100 F (low impedance type)
Manufacturer
Motorola
Shindengen
Zetex
Q1 (NPN)
D44VH10
2SC4151
ZTX851
Q2 (PNP)
D45VH10
2SA1601
ZTX951
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| M57161L-01 | 功能描述:IC GATE DRVR FOR IGBT MOD RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 |
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