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参数资料
| 型号： | M57962CL-01 |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DRVR FOR IGBT MOD |
| 标准包装： | 13 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 500ns |
| 电流 - 峰： | 5A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 1200V |
| 电源电压： | 14 V ~ 15 V |
| 工作温度： | -20°C ~ 60°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 14-SIP（12 引线） |
| 供应商设备封装： | 模块 |
| 包装： | 散装 |
Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
M57962CL-01
Hybrid IC for IGBT Gate Driver
Absolute Maximum Ratings, T a =25 ° C unless otherwise specified
Item
Supply Voltage
Symbol
V CC
V EE
Test Conditions
DC
DC
Limit
18
-15
Units
Volts
Volts
Input Voltage
V I
Applied between:
13
–
14
-1 ~ 7
Volts
Output Voltage
Output Current
Isolation Voltage
Case Temperature
Operating Temperature
Storage Temperature
V O
I OHP
I OLP
V RMS
T c
T opg
t stg
Output Voltage “H”
Pulse Width 2 μ s, f ≤ 20kHz
Pulse Width 2 μ s, f ≤ 20kHz
Sinewave Voltage 60Hz, 1 min.
V CC
-5
5
2500
85
-20 ~ 60
-25 ~ 100
Volts
Amperes
Amperes
Volts
° C
° C
° C
Fault Output Current
Input Voltage
I FO
V R1
Applied
Applied
8
1
pin
pin
20
50
mA
Volts
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M57962L | IC GATE DRVR FOR IGBT MOD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M57962K | 制造商:POWEREX 制造商全称:Powerex Power Semiconductors 功能描述:Hybrid Integrated Circuit For Driving IGBT Modules |
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| M57962L | 功能描述:IC GATE DRVR FOR IGBT MOD RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 |
| M57962L | 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT Driver IC |
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