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参数资料
| 型号： | M58WR128EBZB |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 128 Mbit 8Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 128兆位和8Mb × 16，多银行，突发1.8V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 61/87页 |
| 文件大小： | 1113K |
| 代理商： | M58WR128EBZB |
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Table 37. Device Geometry Definition
Offset Word
Mode
Data
Description
Value
27h
0018h
Device Size = 2n in number of Bytes
16 MBytes
28h
29h
0001h
0000h
Flash Device Interface Code description
x16
Async.
2Ah
2Bh
0003h
0000h
Maximum number of bytes in multi-byte program or page = 2n
8 Byte
2Ch
0002h
Number of identical sized erase block regions within the device
bit 7 to 0 = x = number of Erase Block Regions
2
M58
WR1
28ET
2Dh
2Eh
00FEh
0000h
Region 1 Information
Number of identical-size erase blocks = 00FEh+1
255
2Fh
30h
0000h
0001h
Region 1 Information
Block size in Region 1 = 0100h * 256 byte
64 KByte
31h
32h
0007h
0000h
Region 2 Information
Number of identical-size erase blocks = 0007h+1
8
33h
34h
0020h
0000h
Region 2 Information
Block size in Region 2 = 0020h * 256 byte
8 KByte
35h
38h
Reserved
Reserved for future erase block region information
NA
M5
8WR1
28EB
2Dh
2Eh
0007h
0000h
Region 1 Information
Number of identical-size erase block = 0007h+1
8
2Fh
30h
0020h
0000h
Region 1 Information
Block size in Region 1 = 0020h * 256 byte
8 KByte
31h
32h
00FEh
0000h
Region 2 Information
Number of identical-size erase block = 00FEh+1
255
33h
34h
0000h
0001h
Region 2 Information
Block size in Region 2 = 0100h * 256 byte
64 KByte
35h
38h
Reserved
Reserved for future erase block region information
NA
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参数描述 |
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