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参数资料
| 型号： | M68AW256ML70ZB1 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| 中文描述： | 4兆位（256K × 16）3.0V异步SRAM |
| 文件页数： | 12/23页 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | M68AW256ML70ZB1 |
M68AW256M
12/23
Figure 9. Chip Enable or Output Enable Controlled, Read Mode AC Waveforms.
Note: Write Enable (W) = High.
Figure 10. Chip Enable or UB/LB Controlled, Standby Mode AC Waveforms
AI03957c
tAVAV
tAVQV
tAXQX
tELQV
tELQX
tEHQZ
tGLQV
tGLQX
tGHQZ
VALID
A0-A17
E
G
DQ0-DQ15
VALID
tBLQV
tBLQX
tBHQZ
UB, LB
AI03856
tPD
ICC
tPU
ISB
50%
E, UB, LB
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M68AW256ML70ZB1E | 4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW256ML70ZB1F | 4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW256ML70ZB6 | 4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW256ML70ZB6E | 4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW256ML70ZB6F | 4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M68AW256ML70ZB1E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW256ML70ZB1F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW256ML70ZB1T | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| M68AW256ML70ZB6 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 70NS 48TFBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| M68AW256ML70ZB6E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
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