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参数资料
| 型号： | MA27D290G |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 射频混频器 |
| 英文描述： | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SSSMINI2-F3, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 202K |
| 代理商： | MA27D290G |
2
MA27D290G
SKH00166AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
IF VF
IR VR
Ct VR
103
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
102
101
1
10
102
103
Forward voltage V
F (V)
Forward
current
I
F
(mA)
Ta
= 125°C
25
°C
25°C
75
°C
0
5
10
25
20
15
30
102
103
1
10
Reverse voltage V
R (V)
Reverse
current
I
R
(
A)
Ta
= 125°C
25
°C
75°C
1
15
20
10
5
25
0
5
10
15
20
25
30
Reverse voltage V
R (V)
Terminal
capacitance
C
t
(pF)
Ta
= 25°C
IF(AV) Ta
0
20
40
80
60
140
120
100
0
DC
40
160
120
80
Tj
= 125°C
Ambient temperature T
a (°C)
Forward
current
(Average)
I
F(AV)
(m
A
)
tp
T
IF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MA27P110G | SILICON, PIN DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MA27D290GL | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SSSMINI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| MA27D30 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Schottky Barrier Diodes (SBD) Silicon epitaxial planar type |
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| MA27D300GL | 功能描述:DIODESCHOTTKY 30V100MA SSSMINI2P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| MA27E02 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type |
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