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参数资料
| 型号： | MA27D300G |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SSSMINI2-F3, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 202K |
| 代理商： | MA27D300G |
MA27D300G
3
SKH00167AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
SSSMini2-F3
Unit: mm
1.40
±0.05
0.27
+0.05
0.03
2
1
0.60 ±0.05
1.00
±0.05
0.52
±0.03
0to
0.05
(5°)
(0.27)
0.13
+0.05
0.02
(5
°)
0.20
±0.05
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA27P020G | SILICON, PIN DIODE |
| MA2YD09 | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MA2YD170G | 0.3 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MA3030 | .250X.032 FEM.QD KRIMP. TAPED (P-1142T) |
| MA3033 | Silicon planar type |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MA27D300GL | 功能描述:DIODESCHOTTKY 30V100MA SSSMINI2P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| MA27E02 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type |
| MA27E0200L | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 35MA SSSMINI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| MA27P01 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type |
| MA27P0100L | 功能描述:DIODE PIN 60V 100MA SSS MINI-2P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 二极管 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 二极管类型:PIN - 单 电压 - 峰值反向(最大):50V 电流 - 最大:50mA 电容@ Vr, F:0.4pF @ 50V，1MHz 电阻@ Vr, F:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大）:100mW 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:3-MCP 包装:带卷 (TR) |
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