| 型号: | MA2SD250G |
| 厂商: | PANASONIC CORP |
| 元件分类: | 射频混频器 |
| 英文描述: | SILICON, MIXER DIODE |
| 封装: | ROHS COMPLIANT, SSMINI2-F4, 2 PIN |
| 文件页数: | 3/4页 |
| 文件大小: | 201K |
| 代理商: | MA2SD250G |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA2SD290G | 0.1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MA2SE010G | SILICON, HF BAND, MIXER DIODE |
| MA2YD230G | 1 A, 25 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MA2Z360J | VHF-UHF BAND, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MA2Z7200G | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MA2SD250GL | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 15V 200MA SSMINI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| MA2SD29 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type |
| MA2SD2900L | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V100MA SSMINI2P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| MA2SD290GL | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SSMINI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| MA2SD30 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Schottky Barrier Diodes Silicon epitaxial planar type For super high speed switching |