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参数资料
| 型号： | MA2SE010G |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 射频混频器 |
| 英文描述： | SILICON, HF BAND, MIXER DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SSMINI2-F4, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 194K |
| 代理商： | MA2SE010G |
MA2SE010G
3
SKH00184AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
SSMini2-F4
Unit: mm
0.30 ±0.05
0.80
+0.05
0.03
2
1
0.60
+0.05 0.03
5°
(0.15)
0.13
+0.05
0.02
1.60
±0.05
1.20
+0.05 0.03
0 to 0.05
0.20
±0.05
5°
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA2YD230G | 1 A, 25 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MA2Z360J | VHF-UHF BAND, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MA2Z7200G | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MA2ZD020G | 0.5 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MA30B | SILICON, STABISTOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MA2SP01 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type |
| MA2SP0100L | 功能描述:DIODE PIN 60V 100MA SS MINI-2P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 二极管 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 二极管类型:PIN - 单 电压 - 峰值反向(最大):50V 电流 - 最大:50mA 电容@ Vr, F:0.4pF @ 50V，1MHz 电阻@ Vr, F:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大）:100mW 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:3-MCP 包装:带卷 (TR) |
| MA2SP010GL | 功能描述:DIODE PIN 60V 100MA SSMINI-2P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 二极管 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 二极管类型:PIN - 单 电压 - 峰值反向(最大):50V 电流 - 最大:50mA 电容@ Vr, F:0.4pF @ 50V，1MHz 电阻@ Vr, F:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大）:100mW 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:3-MCP 包装:带卷 (TR) |
| MA2SP02 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type For high frequency switch |
| MA2SP0200L | 功能描述:DIODE PIN 60V 100MA SS MINI-2P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 二极管 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 二极管类型:PIN - 单 电压 - 峰值反向(最大):50V 电流 - 最大:50mA 电容@ Vr, F:0.4pF @ 50V，1MHz 电阻@ Vr, F:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大）:100mW 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:3-MCP 包装:带卷 (TR) |
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