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参数资料
| 型号： | MA3SD05F |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 射频混频器 |
| 英文描述： | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F2, SC-81, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 231K |
| 代理商： | MA3SD05F |
Schottky Barrier Diodes (SBD)
1
Publication date: February 2005
SKH00137BED
MA3SD05F
Silicon epitaxial planar type
For high frequency rectification
■ Features
Series connection
High-density mounting is possible
■ Absolute Maximum Ratings T
a = 25°C
Marking Symbol: M5C
■ Electrical Characteristics T
a = 25°C ± 3°C
Internal Connection
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
VF
IF = 100 mA
0.54
0.60
V
Reverse current
IR
VR
= 40 V
5
A
Terminal capacitance
Ct
VR = 0 V, f = 1 MHz
12
18
pF
Reverse recovery time *
trr
IF = IR = 100 mA
2.0
ns
Irr
= 10 mA, R
L
= 100
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s = 50
Wave Form Analyzer
(SAS-8130)
R
i = 50
t
p = 2 s
t
r = 0.35 ns
δ = 0.05
I
rr = 10 mA
I
F = 100 mA
I
R = 100 mA
R
L = 100
10%
Input Pulse
Output Pulse
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
A
12
3
1 : Anode 1
2 : Cathode 2
3 : Cathode 1
Anode 2
EIAJ : SC-81
SSMini3-F2 Package
Unit: mm
0.28±0.05
3
12
0.28±0.05
(0.80)
1.60
+0.05
–0.03
0.12
+0.05
–0.02
0.60
+0.05
–0.03
(0.80)
(0.51)
0
to
0.1
(0.15)
3
(0.44)
0.88
(0.375)
+0.05
–0.03
0.80
±
0.05
(0.80)
1.60
±
0.05
3
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
VR
45
V
Maximum peak reverse voltage
VRM
45
V
Forward current
Single
IF
100
mA
Series
75
Peak forward
Single
IFM
300
mA
current
Series
225
Non-repetitive peak
Single
IFSM
1A
forward surge current * Series
0.75
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +125
°C
Note) *: The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine wave (non-repetitive)
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body
and the leakage of current from the operating equipment.
3. Absolute frequency of input and output is 250 MHz
4. *: trr measurement circuit
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA40153 | SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY, VHF-X BAND, MIXER DIODE |
| MA42197 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MA44781 | SILICON, PIN DIODE |
| MA46580-1209 | KA BAND, 20 pF, 18 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MA4E1319-2 | GALLIUM ARSENIDE, mm WAVE BAND, MIXER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MA3U649 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon planar type (cathode common) |
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