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参数资料
型号： MA3SD22FG
厂商： PANASONIC CORP
元件分类： 射频混频器
英文描述： SILICON, L BAND, MIXER DIODE
封装： ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
文件页数： 1/4页
文件大小： 205K
代理商： MA3SD22FG
Schottky Barrier Diodes (SBD)
1
Publication date: October 2007
SKH00210AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
MA3SD22FG
Silicon epitaxial planar type
For cellular phone
■ Features
Low forward voltage: V
F < 0.3 V
High-frequency wave detection is possible
■ Absolute Maximum Ratings T
a = 25°C
■ Electrical Characteristics T
a = 25°C ± 3°C
Bias Application Unit (N-50BU)
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s = 50
Wave Form Analyzer
(SAS-8130)
R
i = 50
t
p = 2 s
t
r = 0.35 ns
δ = 0.05
I
F = 10 mA
I
R = 10 mA
R
L = 100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
rr = 1 mA
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
A
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
VR
30
V
Maximum peak reverse voltage
VRM
30
V
Forward current
Single
IF
30
mA
Series
20
Peak forward
Single
IFM
150
mA
current
Series
110
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +125
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
VF1
IF = 1 mA
0.3
V
VF2
IF = 30 mA
1.0
V
Reverse current
IR
VR
= 30 V
50
A
Terminal capacitance
Ct
VR = 1 V, f = 1 MHz
1.5
pF
Reverse recovery time *
trr
IF = IR = 10 mA
1.0
ns
Irr
= 1 mA, R
L
= 100
Detection efficiency
η
VIN = 3 V(peak) , f = 30 MHz
65
%
RL
= 3.9 k, C
L
= 10 pF
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body
and the leakage of current from the operating equipment.
3. Absolute frequency of input and output is 2 GHz.
4. *: trr measurement circuit
■ Package
Code
SSMini3-F3
Pin Name
1: Anode 1
2: Cathode 2
3: Cathode 1
Anode 2
■ Marking Symbol: M5P
■ Internal Connection
12
3
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相关PDF资料
PDF描述
MA3SD22F 0.03 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
MA3X1000G 0.1 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MA3Z240 240 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MA3Z7920G 0.1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MA40132 SILICON, LOW BARRIER SCHOTTKY, X BAND, MIXER DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
MA3SD29F0L 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SSMINI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2
MA3SE0100L 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 35MA SSMINI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2
MA3SE02 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3SE0200L 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 35MA SS-MINI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2
MA3U649 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon planar type (cathode common)
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