- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录53695 > MA3SE01 (PANASONIC CORP) SILICON, L BAND, MIXER DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MA3SE01 |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 射频混频器 |
| 英文描述： | SILICON, L BAND, MIXER DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F2, SC-81, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 224K |
| 代理商： | MA3SE01 |
Schottky Barrier Diodes (SBD)
1
Publication date: February 2005
SKH00066CED
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
VF1
IF = 1 mA
0.41
V
VF2
IF = 35 mA
1.0
V
Reverse current
IR
VR
= 15 V
200
nA
Terminal capacitance
Ct
VR = 0 V, f = 1 MHz
1.2
pF
Dynamic resistance
Rd
IF = 5 mA
40
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
VR
20
V
Maximum peak reverse voltage
VRM
20
V
Forward current
Single
IF
35
mA
Series
25
Peak forward current
Single
IFM
100
mA
Series
70
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +125
°C
MA3SE01
Silicon epitaxial planar type
For cellular phone
■ Features
High-frequency wave detection is possible
Low forward voltage V
F
Small junction-capacitance
■ Absolute Maximum Ratings T
a = 25°C
■ Electrical Characteristics T
a = 25°C ± 3°C
Internal Connection
Marking Symbol: M6A
1
2
3
1 : Anode 1
2 : Cathode 2
3 : Cathode 1
Anode 2
EIAJ : SC-81
SSMini3-F2 Package
Unit: mm
0.28±0.05
3
12
0.28±0.05
(0.80)
1.60
+0.05
–0.03
0.12
+0.05
–0.02
0.60
+0.05
–0.03
(0.80)
(0.51)
0
to
0.1
(0.15)
3
(0.44)
0.88
(0.375)
+0.05
–0.03
0.80
±
0.05
(0.80)
1.60
±
0.05
3
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body
and the leakage of current from the operating equipment.
3. Absolute frequency of input and output is 2 GHz
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA40032 | SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY, C BAND, MIXER DIODE |
| MA40045 | SILICON, HIGH BARRIER SCHOTTKY, C BAND, MIXER DIODE |
| MM4E199 | SILICON, HIGH BARRIER SCHOTTKY, X BAND, MIXER DIODE |
| MA40187A | SILICON, ZERO BARRIER SCHOTTKY, K BAND, MIXER DIODE |
| MA4E928B | SILICON, ZERO BARRIER SCHOTTKY, K BAND, MIXER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MA3SE0100L | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 35MA SSMINI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2 |
| MA3SE02 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Schottky Barrier Diodes (SBD) |
| MA3SE0200L | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 35MA SS-MINI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2 |
| MA3U649 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon planar type (cathode common) |
| MA3U689 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon planar type |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。