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参数资料
| 型号： | MA4E1245KETR3 |
| 元件分类： | 射频混频器 |
| 英文描述： | SILICON, LOW BARRIER SCHOTTKY, X BAND, MIXER DIODE |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | MA4E1245KETR3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA4E204L | SILICON, LOW BARRIER SCHOTTKY, C-X BAND, MIXER DIODE |
| MA4E207H | SILICON, HIGH BARRIER SCHOTTKY, KU BAND, MIXER DIODE |
| MA4E201H | SILICON, HIGH BARRIER SCHOTTKY, S BAND, MIXER DIODE |
| MA4E975L | SILICON, LOW BARRIER SCHOTTKY, C-X BAND, MIXER DIODE |
| MA4E2054L-1261 | SILICON, LOW BARRIER SCHOTTKY, VHF-X BAND, MIXER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MA4E1310 | 制造商:MA-COM 制造商全称:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:GaAs Flip Chip Schottky Barrier Diode |
| MA4E1317 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MA4E1317_V7 | 制造商:MA-COM 制造商全称:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:GaAs Flip Chip Schottky Barrier Diodes |
| MA4E1317-1 | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:SCD, AIL, DIODE, SCHOTTKY, BEAM LEAD, GAAS PROPRIETARY - Bulk |
| MA4E1318 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DC-80GHz Cap .09pF Junc. Cap .09pF RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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