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参数资料
| 型号： | MAP5KE78A |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL |
| 封装： | PLASTIC, DO-41, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 187K |
| 代理商： | MAP5KE78A |
LV1115/1115M
No.8263-3/15
Package Dimensions
unit : mm (typ)
3067B
Package Dimensions
unit : mm (typ)
3112B
SANYO : DIP24S(300mil)
1
12
24
13
21.0
3.
9max
0.
51min
3.
3
0.95
6.
4
7.
62
0.
25
1.78
0.48
0.9
(0.71)
(3.
25)
SANYO : MFP24S(300mil)
1
12
13
24
12.5
0.
63
7.
6
5.
4
0.15
1.0
0.35
(0.75)
1.
7max
0.
1
(1.
5)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MQP5KE30CE3 | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL |
| MQP5KE33E3TR | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MAP5KE78AE3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 78VWM 126VC DO41 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 500W UNIDIR DO-41 |
| MAP5KE78CA | 功能描述:TVS DIODE 78VWM 126VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:78V 电压 - 击穿（最小值）:86.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:126V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:1 |
| MAP5KE78CAE3 | 功能描述:TVS DIODE 78VWM 126VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:78V 电压 - 击穿（最小值）:86.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:126V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:1 |
| MAP5KE8.0A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO41 |
| MAP5KE8.0AE3 | 功能描述:TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:8V 电压 - 击穿（最小值）:8.89V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:13.6V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:36.7A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:1 |
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