型号: | MAPLAD30KP90E3 |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1 |
文件页数: | 5/5页 |
文件大小: | 268K |
代理商: | MAPLAD30KP90E3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MQPLAD15KP10AE3TR | 15000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
MQPLAD15KP110E3 | 15000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
MQPLAD15KP11CE3 | 15000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
MQPLAD15KP12C | 15000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
MQPLAD15KP12E3 | 15000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MAPLAD6.5KP100A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 100VWM 162VC MINIPLAD |
MAPLAD6.5KP100AE3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 6.5KW UNIDIR MINI-PLAD |
MAPLAD6.5KP100CA | 功能描述:TVS DIODE 100VWM 162VC MINIPLAD 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):100V 电压 - 击穿(最小值):111V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:162V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):40.1A 功率 - 峰值脉冲:6500W(6.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准型 SMD 供应商器件封装:Mini-PLAD 标准包装:1 |
MAPLAD6.5KP100CAE3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 6.5KW BIDIR MINI-PLAD |
MAPLAD6.5KP10A | 功能描述:TVS DIODE 10VWM 17VC MINIPLAD 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:17V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):383A 功率 - 峰值脉冲:6500W(6.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准型 SMD 供应商器件封装:Mini-PLAD 标准包装:1 |