参数资料
| 型号： | MAQ-4 |
| 厂商： | Curtis Industries |
| 文件页数： | 1/82页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TERM BARRIER 4CIRC DUAL ROW |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | M |
| 端接块类型： | 阻隔块 |
| 电路数： | 4 |
| 导线入口数目： | 8 |
| 间距： | 0.500"（12.70mm） |
| 行数： | 2 |
| 电流： | 25A |
| 线规： | 12-22 AWG |
| 顶部端子： | 快速连接（0.250"） |
| 底部端子： | 闭合式 |
| 阻挡层类型： | 双壁（双） |
| 特点： | 法兰 |
| 包装： | 散装 |
| 安装类型： | 底座安装或面板安装 |
| 工作温度： | 150°C |
| 材料 - 绝缘体： | 酚醛树脂（酚醛） |
| 材料可燃性额定值： | UL94 V-0 |
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Curtis
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Terminal
Blocks
Curtis Industries
A Div. of Powers Holdings, Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F01667-000 | LABEL POLY WHITE 19.1X6.4MM |
| OSTYK50520130 | CONN BARRIER STRIP 20CIRC 9.50MM |
| 325223-23-0 | TERM BARRIER 23CIRC SGL ROW .325 |
| AFM3660L1VBR-F | MAT KIT ESD ANTI FATIGUE 3'X5' |
| 325222-23-0 | TERM BARRIER 23CIRC SGL ROW .325 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MAQ4005B12M24D24D24D | 制造商:TDK-Lambda Corporation 功能描述:- Bulk |
| MAQ4123 | 制造商:MICREL 制造商全称:Micrel Semiconductor 功能描述:Automotive AEC-Q100 Qualified Dual 3A Peak Low-Side MOSFET Driver |
| MAQ4123YME | 功能描述:功率驱动器IC Automotive AEC-Q100 Dual Inverting 3A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MAQ4123YME TR | 功能描述:功率驱动器IC Automotive AEC-Q100 Dual Inverting 3A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MAQ4123YME-TR | 功能描述:IC MOSFET DVR 3A L-SIDE 8SOIC 制造商:microchip technology 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 驱动配置:低压侧 通道类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.5 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，3A 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:11ns，11ns 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ） 安装类型:* 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸焊盘 供应商器件封装:8-SOIC-EP 标准包装:1 |
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