型号: | MASMBG2K3.3E3 |
厂商: | MICROSEMI CORP-IRELAND |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 2000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 4/4页 |
文件大小: | 306K |
代理商: | MASMBG2K3.3E3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MBR16100 | 16 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
MBR25100CT | 12.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
MBR30150PT | 30 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD |
MBR3080PT | 30 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD |
MBR40100PT | 40 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MASMBG2K4.0 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 2KW UNIDIRECT DO-215AA 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO215AA |
MASMBG2K4.0E3 | 功能描述:TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:上次购买时间 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):4V 电压 - 击穿(最小值):5V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:6.3V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):10A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:2000W(2kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-215AA,SMB 鸥翼型 供应商器件封装:SMBG(DO-215AA) 标准包装:1 |
MASMBG2K4.5 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
MASMBG2K4.5E3 | 功能描述:TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:上次购买时间 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):4.5V 电压 - 击穿(最小值):5.4V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:6.6V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):10A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:2000W(2kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-215AA,SMB 鸥翼型 供应商器件封装:SMBG(DO-215AA) 标准包装:1 |
MASMBG2K5.0 | 功能描述:TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:上次购买时间 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):5V 电压 - 击穿(最小值):5.9V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:7.6V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):10A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:2000W(2kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-215AA,SMB 鸥翼型 供应商器件封装:SMBG(DO-215AA) 标准包装:1 |