参数资料
型号: MASMBG2K3.3E3
厂商: MICROSEMI CORP-IRELAND
元件分类: TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述: 2000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
文件页数: 4/4页
文件大小: 306K
代理商: MASMBG2K3.3E3
TECHNICAL DATA SHEET
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland.
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
Tel: +353 (0) 65 6840044, Fax: +353 (0) 65 6822298
Tel: 1-800-446-1158 / (978) 794-1666, Fax: (978) 6890803
Website: http://www.microsemi.com
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RF01019 Rev A, November 2010
High Reliability Product Group
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GRAPHS Contd.
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PDF描述
MBR16100 16 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
MBR25100CT 12.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
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MBR3080PT 30 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD
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相关代理商/技术参数
参数描述
MASMBG2K4.0 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 2KW UNIDIRECT DO-215AA 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO215AA
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MASMBG2K4.5 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:
MASMBG2K4.5E3 功能描述:TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:上次购买时间 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):4.5V 电压 - 击穿(最小值):5.4V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:6.6V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):10A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:2000W(2kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-215AA,SMB 鸥翼型 供应商器件封装:SMBG(DO-215AA) 标准包装:1
MASMBG2K5.0 功能描述:TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:上次购买时间 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):5V 电压 - 击穿(最小值):5.9V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:7.6V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):10A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:2000W(2kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-215AA,SMB 鸥翼型 供应商器件封装:SMBG(DO-215AA) 标准包装:1