型号: | MASMBJP6KE75CA |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 215K |
代理商: | MASMBJP6KE75CA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MASMBJP6KE82TR | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
MASMBJP6KE9.1CAE3TR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
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MQSMBGP6KE15CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MASMBJSAC12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 12VWM 19VC DO214AA |
MASMBJSAC12E3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 12VWM 19VC DO214AA 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 500W UNIDIRECT DO-214AA |
MASMBJSAC15 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 15VWM 23.6VC DO214AA |
MASMBJSAC15E3 | 功能描述:TVS DIODE 15VWM 23.6VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):15V 电压 - 击穿(最小值):16.7V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:23.6V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):20A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:30pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:SMBJ(DO-214AA) 标准包装:1 |
MASMBJSAC18 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 500W UNIDIRECT DO-214AA |