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参数资料
| 型号： | MASMBJSAC22 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 525K |
| 代理商： | MASMBJSAC22 |
TECHNICAL DATA SHEET
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland.
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
Tel: +353 (0) 65 6840044, Fax: +353 (0) 65 6822298
Tel: 1-800-446-1158 / (978) 794-1666, Fax: (978) 6890803
Website: http://www.microsemi.com
___________________________________________________________________________________________________________________________________
RF01021 Rev A, October 2010
High Reliability Product Group
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MECHANICAL AND PACKAGING
Void-free transfer molded thermosetting epoxy body meeting UL94V-0
J-bend tin-lead (90 % Sn, 10 % Pb) or RoHS (100 % Sn) compliant annealed matte-tin plating solderable per
MIL-STD-750, method 2026
Cathode indicated by band
Part number marked on package
Available in Bulk or Custom Tape & Reel packaging
Weight: 0.1 gram (approximately)
PACKAGE DIMENSIONS
PAD LAYOUT
SYMBOLS & DEFINITIONS
Symbol
Definition
Symbol
Definition
VWM
Working Peak (Standoff) Voltage
IPP
Peak Pulse Current
PPP
Peak Pulse Power
VC
Clamping Voltage
VBR
Breakdown Voltage
IBR
Breakdown Current for VBR
ID
Standby Current
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PDF描述 |
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| MSP6150AUS | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| MA30KP130CATR | 30000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MASMBJSAC22E3 | 功能描述:TVS DIODE 22VWM 35.4VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:22V 电压 - 击穿（最小值）:24.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:35.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:14A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:30pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBJ（DO-214AA） 标准包装:1 |
| MASMBJSAC26 | 功能描述:TVS DIODE 26VWM 42.3VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:26V 电压 - 击穿（最小值）:28.9V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:42.3V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:11.1A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:30pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBJ（DO-214AA） 标准包装:1 |
| MASMBJSAC26E3 | 功能描述:TVS DIODE 26VWM 42.3VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:26V 电压 - 击穿（最小值）:28.9V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:42.3V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:11.1A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:30pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBJ（DO-214AA） 标准包装:1 |
| MASMBJSAC36 | 功能描述:TVS DIODE 36VWM 60VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:60V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:8.6A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:30pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBJ（DO-214AA） 标准包装:1 |
| MASMBJSAC36E3 | 功能描述:TVS DIODE 36VWM 60VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:60V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:8.6A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:30pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBJ（DO-214AA） 标准包装:1 |
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