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参数资料
| 型号： | MASMBJSAC26E3 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 525K |
| 代理商： | MASMBJSAC26E3 |
TECHNICAL DATA SHEET
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland.
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
Tel: +353 (0) 65 6840044, Fax: +353 (0) 65 6822298
Tel: 1-800-446-1158 / (978) 794-1666, Fax: (978) 6890803
Website: http://www.microsemi.com
___________________________________________________________________________________________________________________________________
RF01021 Rev A, October 2010
High Reliability Product Group
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GRAPHS Cont.
SCHEMATIC APPLICATIONS
The TVS low capacitance device configuration is shown in Figure 4. As a further option for unidirectional applications, an additional low
capacitance rectifier diode may be used in parallel in the same polarity direction as the TVS as shown in Figure 5. In applications where
random high voltage transients occur, this will prevent reverse transients from damaging the internal low capacitance rectifier diode and also
provide a low voltage conducting direction. The added rectifier diode should be of similar low capacitance and also have a higher reverse
voltage rating than the TVS clamping voltage VC.
If using two (2) low capacitance TVS devices in anti-parallel for bidirectional applications, this added protective feature for both directions
(including the reverse of each rectifier diode) is inherently provided in Figure 6. The unidirectional and bidirectional configurations in Figure 5
and 6 will both result in twice the capacitance of Figure 4.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MXLSMBJSAC36 | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| MSMF15-P | 100 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| MA30KP300CATR | 30000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| MA30KP48A | 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| MA30KP51CATR | 30000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MASMBJSAC36 | 功能描述:TVS DIODE 36VWM 60VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:60V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:8.6A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:30pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBJ（DO-214AA） 标准包装:1 |
| MASMBJSAC36E3 | 功能描述:TVS DIODE 36VWM 60VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:60V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:8.6A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:30pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBJ（DO-214AA） 标准包装:1 |
| MASMBJSAC45 | 功能描述:TVS DIODE 45VWM 77VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:45V 电压 - 击穿（最小值）:50V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:77V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:6.8A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:30pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBJ（DO-214AA） 标准包装:1 |
| MASMBJSAC45E3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 500W UNIDIRECT DO-214AA 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 45VWM 77VC DO214AA |
| MASMBJSAC5.0 | 功能描述:TVS DIODE 5VWM 10VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:7.6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:10V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:44A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:30pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBJ（DO-214AA） 标准包装:1 |
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