型号: | MASMBJSAC75E3 |
厂商: | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 4/4页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | MASMBJSAC75E3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MSMBJSAC6.0E3 | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
MA4P7436-1146T | SILICON, PIN DIODE |
MQ1PMT4107DE3 | 13 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
MQ1PMT4617DE3 | 2.4 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
MSP1PMT4112E3 | 18 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MASMBJSAC8.0 | 功能描述:TVS DIODE 8VWM 13.4VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):8V 电压 - 击穿(最小值):8.89V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:13.4V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):36A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:30pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:SMBJ(DO-214AA) 标准包装:1 |
MASMBJSAC8.0E3 | 功能描述:TVS DIODE 8VWM 13.4VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):8V 电压 - 击穿(最小值):8.89V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:13.4V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):36A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:30pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:SMBJ(DO-214AA) 标准包装:1 |
MASMBJSAC8.5 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 8.5VWM 14VC DO214AA |
MASMBJSAC8.5E3 | 功能描述:TVS DIODE 8.5VWM 14VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):8.5V 电压 - 击穿(最小值):9.44V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:14V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):34A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:30pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:SMBJ(DO-214AA) 标准包装:1 |
MASMCG100A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AB |