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参数资料
| 型号： | MAT03-903L |
| 厂商： | ANALOG DEVICES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | CERAMIC, FLATPAK-2 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | MAT03-903L |
MAT03
ASD0011414 Rev. F | Page 2 of 5
3.1
Thermal Characteristics:
Thermal Resistance, TO-78 (H) Package
Junction-to-Case (
ΘJC) = 45°C/W Max
Junction-to-Ambient (
ΘJA) = 150°C/W Max
Derate linearly at 6.67 mW/°C for ambient temperatures above 70°C.
Thermal Resistance, cerpac (L) Package
Junction-to-Case (
ΘJC) = 80°C/W Max
Junction-to-Ambient (
ΘJA) = 180°C/W Max
Derate linearly at 5.56 mW/°C for ambient temperatures above 70°C.
Terminal Connections 1/
Terminal
6 lead TO
10 lead flatpack
1
C1
2
B1
nc
3
E1
B1
4
E2
nc
5
B2
E1
6
C2
E2
7
nc
8
B2
9
nc
10
C2
11
12
13
14
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17
18
19
20
1/ Substrate is connected to case on TO-78 package. Substrate is normally connected to the most
negative circuit potential, but can be floated.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MAU2D29 | 0.03 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MAZK062D | 6.2 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MAZL068HG | 6.8 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MB8SATR | 0.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, TO-269AA |
| MB6SA | 0.5 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, TO-269AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MAT03AH | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MAT03AH/883C | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:HI-SPEED DUAL PNP TRANS-L - Bulk |
| MAT03ARC/883C | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MAT03EH | 功能描述:IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:2 NPN（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:45V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 频率 - 转换:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商设备封装:PG-SOT363-6 包装:带卷 (TR) 其它名称:SP000747402 |
| MAT03EHZ | 功能描述:IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:2 NPN（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:45V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 频率 - 转换:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商设备封装:PG-SOT363-6 包装:带卷 (TR) 其它名称:SP000747402 |
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