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参数资料
| 型号： | MAT03-913H |
| 厂商： | ANALOG DEVICES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | CAN PACKAGE-6 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | MAT03-913H |
MAT03
ASD0011414 Rev. F | Page 3 of 5
4.0
Electrical Table:
Table I
Parameter
See notes at end of table
Symbol
Conditions 1/
Sub-
group
Limit
Min
Limit
Max
Units
Current gain
hFE
IC = 1mA, VCB = 0V, -36V
1
100
2, 3
70
IC = 100μA, VCB = 0V, -36V
1
90
IC = 100μA, VCB =-36V
2, 3
60
IC = 10μA, VCB = 0V, -36V
1
80
IC = 10μA, VCB = -36V
2, 3
50
Current gain match 2/
ΔhFE
IC = 100μA, VCB = 0V
1
3
%
Offset voltage
VOS
VCB = 0V
1
100
μV
2,3
150
Change in offset voltage vs
temperature 3/
TCVOS
VCB = 0V
0.5
μV/°C
Offset voltage change vs VCB
ΔVOS
/ ΔVCB
VCB = 0V, -36V
1
150
μV
Offset voltage change vs
collector current
ΔVOS/
ΔIC
IC1 = 10μA, IC2 = 1mA,
VCB=0V
1
50
Input offset current
IOS
VCB = 0V, IC = 100μA
1
35
nA
Bulk emitter resistance
rBE
1
0.75
Ohm
Collector base leakage current
ICBO
VCB = -36V
1
200
pA
Collector saturation voltage
VCESAT
IC = 1mA, IB = 100μA
1
0.1
V
Breakdown voltage
BVCEO
1
36
V
Noise voltage density
eN
IC = 1mA
fO = 10Hz
7
2
Hz
nV/
VCB = 0V
fO = 100Hz
1
fO = 1000Hz
1
fO = 10000Hz
1
TABLE I NOTES:
1/ VCB = -15V, IC = 10μA, unless otherwise specified.
2/ Current gain match (
ΔhFE) is defined as: ΔhFE =
C
I
min
)
(
100
FE
B h
I
Δ
.
3/ Guaranteed by VOS test (TCVOS = VOS/T for VOS << VBE) (T = 298°K for TA = +25°C).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MAT03-903L | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MAU2D29 | 0.03 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MAZK062D | 6.2 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MAZL068HG | 6.8 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MB8SATR | 0.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, TO-269AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MAT03AH | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MAT03AH/883C | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:HI-SPEED DUAL PNP TRANS-L - Bulk |
| MAT03ARC/883C | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MAT03EH | 功能描述:IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:2 NPN（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:45V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 频率 - 转换:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商设备封装:PG-SOT363-6 包装:带卷 (TR) 其它名称:SP000747402 |
| MAT03EHZ | 功能描述:IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:2 NPN（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:45V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 频率 - 转换:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商设备封装:PG-SOT363-6 包装:带卷 (TR) 其它名称:SP000747402 |
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