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参数资料
| 型号： | MAT12 |
| 厂商： | ANALOG DEVICES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 20 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-78 |
| 封装： | TO-78, 6 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | MAT12 |
Preliminary Technical Data
MAT12
Rev. PrA | Page 3 of 4
Input Bias Current
IB
IC = 10μA
-25C≤TA≤+85C
25
45
nA
Input Offset Current
IOS
IC = 10μA
-25C≤TA≤+85C
0.6
8
nA
Input Offset Current Drift
ΔIOS/ΔT
IC=10μA (note 6)
-25C≤TA≤+85C
40
90
pA/C
Offset Current Change vs. VCB
ΔIOS/ΔVCB
0 ≤ VCB ≤ VMAX (note 4)
30
70
pA/V
Collector Saturation Voltage
VCE(SAT)
IC = 1mA, IB=100μA
0.05
0.1
V
Output Capacitance
COB
VCB=15V, IE=0
23
pF
Bulk Resistance
rBE
10μA≤IC≤10mA (note6)
0.3
0.5
Ω
Collector-Collector Capacitance
CCC
VCC = 0
35
pF
Notes:
1.
Current gain is guaranteed with Collector-Base Voltage (VCB) swept from 0 to VMAX at the indicated collector currents.
2.
Current Gain Match (ΔhFE) defined as: ΔhFE = (100(ΔIB)( hFE min)/IC)
3.
Noise Voltage Density is guaranteed, but not 100% tested
4.
This is the maximum change in VOS as VCB is swept from 0V to 40V.
5.
Measured at IC=10μA and guaranteed by design over the specified range of IC
6.
Guaranteed by Design
7.
ICC and ICES are verified by measurement of ICBO
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PDF描述 |
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参数描述 |
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