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参数资料
| 型号： | MAX15012CASA+ |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 5/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC HALF-BRIDGE MOSFET DVR 8-SOIC |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 100 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 30ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 175V |
| 电源电压： | 8 V ~ 12.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN 裸露焊盘 |
| 包装： | 管件 |
175V/2A, High-Speed,
Half-Bridge MOSFET Drivers
Typical Operating Characteristics
(Typical values are at V DD = V BST = +12V and T A = +25°C, unless otherwise specified.)
UNDERVOLTAGE LOCKOUT
V DD AND BST UNDERVOLTAGE LOCKOUT
7.5
7.4
(V DD AND V BST RISING) vs. TEMPERATURE
1.0
0.9
HYSTERESIS vs. TEMPERATURE
IN_H = GND
I DD vs. V DD
MAX15012/13 toc03
7.3
UVLO VDD
0.8
IN_L = V DD
7.2
7.1
0.7
0.6
UVLO VDD
HYSTERESIS
V DD
2V/div
7.0
6.9
6.8
UVLO BST
0.5
0.4
0.3
UVLO BST
HYSTERESIS
0V
6.7
6.6
6.5
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
0.2
0.1
0
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
0 μ A
4ms/div
I DD
50 μ A/div
TEMPERATURE ( ° C)
3.0
I DDO + I BSTO vs. V DD
(f SW = 250kHz)
TEMPERATURE ( ° C)
200
INTERNAL BST DIODE
(I-V) CHARACTERISTICS
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
T A = +125 ° C
T A = +25 ° C
T A = 0 ° C
T A = -40 ° C
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
160
V DD (V)
V DD QUIESCENT CURRENT
vs. V DD (NO SWITCHING)
V DD = V BST
21
V DD - V BST (V)
BST QUIESCENT CURRENT
vs. BST VOLTAGE
V BST = V DD + 1V,
140
V HS = GND
IN_H = GND
18
NO SWITCHING
120
100
IN_L = V DD
T A = +125 ° C
15
12
T A = +125 ° C
80
T A = +25 ° C
9
60
40
20
0
T A = -40 ° C
6
3
0
T A = -40 ° C, T A = 0 ° C, T A = +25 ° C
0
2
4
6
8
10
12
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
V DD (V)
V BST (V)
_______________________________________________________________________________________
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-B3Z-CV-S | CONVERTER MOD DC/DC 2V 60W |
| R2D-1509-R | CONV DC/DC 2W 15VIN +/-09VOUT |
| EEM12DTMI-S189 | CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD |
| GCM15DTAD-S189 | CONN EDGECARD 30POS R/A .156 SLD |
| EEC20DRXI-S734 | CONN EDGECARD 40POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MAX15012CASA+ | 功能描述:功率驱动器IC 175V/2A High-Speed Half-B MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MAX15012CASA+T | 功能描述:功率驱动器IC 175V/2A High-Speed Half-B MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MAX15012DASA+ | 功能描述:功率驱动器IC 175V/2A High-Speed Half-B MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MAX15012DASA+T | 功能描述:功率驱动器IC 175V/2A High-Speed Half-B MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MAX15013AASA+ | 功能描述:功率驱动器IC 175V/2A High-Speed Half-B MOSFET Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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