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参数资料
| 型号： | MAX19790ETX+ |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 1625K |
| 描述： | IC 250MHZ - 4GHZ VAR ATTEN |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 50 |
| 衰减值： | -4dB ~ -48dB |
| 频率范围： | 250MHz ~ 4GHz |
| 功率（瓦特）： | 2.1W |
| 阻抗： | 50 欧姆 |
| 封装/外壳： | 36-WQFN 裸露焊盘，36-HWQFN |
250MHz to 4000MHz Dual,
Analog Voltage Variable Attenuator
10
Typical Application Circuit
Exposed Pad RF and Thermal
Considerations
The exposed pad (EP) of the devices 36-pin thin QFN
package provides a low thermal-resistance path to
the die. It is important that the PCB on which the IC is
mounted be designed to conduct heat from this contact.
In addition, provide the EP with a low-inductance RF
ground path for the device.
The EP MuST be soldered to a ground plane on the
PCB, either directly or through an array of plated via
holes. Soldering the pad to ground is also critical
for efficient heat transfer. Use a solid ground plane
wherever possible.
C1
RFA
CTRL
V
CC
R4
R3
IN_B
GND
2
3
4
5
6
7
8
9
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29
ATTEN_B
ATTEN_A
EP
30
31
32
33
34
35
36
OUT_B
1
ATTENUATION-
CONTROL
CIRCUITRY
*SCHEMATIC SHOWS CONFIGURATION FOR TWO CASCADED ATTENUATORS. TO USE ATTENUATOR A ONLY MOVE C3
TO CONNECT OUT_A TO RFB. TO USE ATTENUATOR B ONLY MOVE C3 TO CONNECT RFB TO IN_B.
R1
C2
V
CC
CTRL
C9
C8
C6
C7
V
CC
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
RFB*
C3
V
CC
C4
R2
C5
RFOUT
V
CC
MAX19790
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MAX19790ETX/GH9 | 功能描述:有源衰减器 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 通道数量: 最大频率: 阻抗: 最大 VSWR: 位数: 最大工作温度: 最小工作温度: |
| MAX19790ETX+ | 功能描述:有源衰减器 250MHz - 4000MHz Attenuator RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 通道数量: 最大频率: 阻抗: 最大 VSWR: 位数: 最大工作温度: 最小工作温度: |
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| MAX19790ETX+W | 功能描述:有源衰减器 Dual SiGe High-Linearity 1700MHz to 2200MHz Downconversion Mixer with LO Buffer/Switch RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 通道数量: 最大频率: 阻抗: 最大 VSWR: 位数: 最大工作温度: 最小工作温度: |
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