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参数资料
| 型号： | MAX19994AETX+ |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 4/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MIXER DOWNCONV 36TQFN |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 50 |
| RF 型： | GSM，EDGE，CDMA |
| 频率： | 1.2GHz ~ 2GHz |
| 混频器数目： | 2 |
| 增益： | 8.4dB |
| 噪音数据： | 9.8dB |
| 次要属性： | 降频变频器 |
| 电流 - 电源： | 330mA |
| 电源电压： | 3.3V，5V |
| 包装： | 托盘 |
| 封装/外壳： | 36-WFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 36-TQFN 裸露焊盘（6x6） |
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Dual, SiGe, High-Linearity, 1200MHz to 2000MHz
Downconversion Mixer with LO Buffer/Switch
5.0V SUPPLY, HIGH-SIDE INJECTION AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
( Typical Application Circuit optimized for the Standard RF Band (see Table 1) . R1 = R4 = 681 I , R2 = R5 = 1.82k I , V CC = 4.75V
to 5.25V, RF and LO ports are driven from 50 I sources, P LO = -6dBm to +3dBm, P RF = -5dBm, f RF = 1200MHz to 1700MHz,
f LO = 1550MHz to 2050MHz, fIF = 350MHz, f RF < f LO , T C = -40 N C to +85 N C. Typical values are at V CC = 5.0V, P RF = -5dBm,
PLO = 0dBm, f RF = 1450MHz, f LO = 1800MHz, f IF = 350MHz, T C = +25 N C. All parameters are guaranteed by design and
characterization, unless otherwise noted.) (Note 6)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
f RF = 1450MHz,
f LO = 1800MHz,
f SPUR = 1625MHz
P RF = -10dBm
P RF = -5dBm
57
52
68
63
2LO - 2RF Spur Rejection (Note 9)
2x2
f RF = 1450MHz,
f LO = 1800MHz,
P RF = -10dBm
58
68
dBc
f SPUR = 1625MHz,
P LO = 0dBm, V CC = 5.0V,
T C = +25 N C
f RF = 1450MHz,
f LO = 1800MHz,
f SPUR = 1683.33MHz
P RF = -5dBm
P RF = -10dBm
P RF = -5dBm
53
68
58
63
84
74
3LO - 3RF Spur Rejection (Note 9)
3x3
f RF = 1450MHz,
f LO = 1800MHz,
P RF = -10dBm
70
84
dBc
f SPUR = 1683.33MHz,
P LO = 0dBm, V CC = 5.0V,
T C = +25 N C
P RF = -5dBm
60
74
RF Input Return Loss
LO Input Return Loss
LO and IF terminated into matched
impedance, LO “on”
LO port selected, RF and IF terminated into
matched impedance
LO port unselected, RF and IF terminated
into matched impedance
17
16
20
dB
dB
IF Output Impedance
Z IF
Nominal differential impedance of the IF
outputs
200
I
RF terminated into 50 I , LO driven by
IF Output Return Loss
50 I source, IF transformed to 50 I using
external components shown in the Typical
13.0
dB
Application Circuit
RF-to-IF Isolation
LO Leakage at RF Port
2LO Leakage at RF Port
LO Leakage at IF Port
(Note 7)
(Note 7)
(Note 7)
(Note 7)
19
30
-42
-30
-35
dB
dBm
dBm
dBm
RFMAIN converted power measured at
IFDIV relative to IFMAIN, all unused ports
43
47
Channel Isolation (Note 7)
terminated to 50 I
RFDIV converted power measured at
dB
IFMAIN relative to IFDIV, all unused ports
terminated to 50 I
43
47
LO-to-LO Isolation
LO Switching Time
P LO1 = +3dBm, P LO2 = +3dBm,
f LO1 = 1800MHz, f LO2 = 1801MHz (Note 7)
50% of LOSEL to IF settled within 2 degrees
42
48
50
dB
ns
4
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