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参数资料
| 型号： | MAX8552ETB+T |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER MOSFET HS 10-TDFN |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | PWM |
| 延迟时间： | 12ns |
| 电流 - 峰： | 30A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 6.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-WFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 10-TDFN-EP（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1411 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MAX8552ETB+TDKR |
High-Speed, Wide-Input,
Single-Phase MOSFET Driver
Timing Diagram
PWM
t pDLf
t pDHf
DL
t fDL
t pDHr
t pDLr
t rDL
(t DLY )*
LX
t rDH
t fDH
DH
*WHEN R DLY IS USED, t pDHr BECOMES THE LONGER OF THE USER-PROGRAMMABLE TIME DELAY, t DLY ,
OR THE ADAPTIVE DEAD TIME, t pDHr . DRAWING IS NOT TO SCALE.
Functional Diagram
PWM
MAX8552
DHON
DHOFF
BST
DH
LX
DRIVE LOGIC
V CC
V CC
EN
UVLO
DELAY LOGIC
DLON
DLOFF
DL
PGND
DLY
DELAY
PROGRAM
LXLOWDETECT
6
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 100R30-457B | CABLE FLAT FLEX 30POS 1MM 18" |
| RO-2405S/E | CONV DC/DC 1W 24VIN 05VOUT |
| 591D106X9020D2T15H | CAP TANT 10UF 20V 10% 2917 |
| 591D106X0020D2T15H | CAP TANT 10UF 20V 20% 2917 |
| GBM06DTAI-S189 | CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MAX8552EUB | 功能描述:功率驱动器IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MAX8552EUB+ | 功能描述:功率驱动器IC Single-Phase MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MAX8552EUB+T | 功能描述:功率驱动器IC Single-Phase MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MAX8552EUB-T | 功能描述:功率驱动器IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MAX8553EEE | 功能描述:电流型 PWM 控制器 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关频率:27 KHz 上升时间: 下降时间: 工作电源电压:6 V to 15 V 工作电源电流:1.5 mA 输出端数量:1 最大工作温度:+ 105 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSSOP-14 |
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