- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18734 > MAX9981ETX+ (Maxim Integrated)IC MIXER DUAL SIGE 36-QFN PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MAX9981ETX+ |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 4/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MIXER DUAL SIGE 36-QFN |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | MAX9981 |
| RF 型： | 手机，EDGE，GSM |
| 频率： | 825MHz ~ 915MHz |
| 混频器数目： | 2 |
| 增益： | 2.7dB |
| 噪音数据： | 10.8dB |
| 电流 - 电源： | 325mA |
| 电源电压： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 包装： | 管件 |
| 封装/外壳： | 36-WFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 36-TQFN 裸露焊盘（6x6） |
825MHz to 915MHz, Dual SiGe High-Linearity
Active Mixer
Typical Operating Characteristics
( Typical Application Circuit , V CC = 5.0V, P RF = -5dBm, P LO = 0dBm, T A = +25 ° C, unless otherwise noted.)
CONVERSION GAIN
vs. RF FREQUENCY LOW-SIDE INJECTION
CONVERSION GAIN
vs. RF FREQUENCY LOW-SIDE INJECTION
CONVERSION GAIN
vs. RF FREQUENCY LOW-SIDE INJECTION
5
4
T A = -40°C
f IF = 100MHz
MAIN MIXER
5
4
f IF = 100MHz
MAIN MIXER
5
4
f IF = 100MHz
MAIN MIXER
3
2
3
2
P LO = -5dBm, 0dBm, +5dBm
3
2
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
1
T A = +85°C
1
1
T A = +25°C
0
0
0
820
840
860
880
900
920
820
840
860
880
900
920
820
840
860
880
900
920
RF FREQUENCY (MHz)
CONVERSION GAIN
vs. RF FREQUENCY HIGH-SIDE INJECTION
RF FREQUENCY (MHz)
CONVERSION GAIN
vs. RF FREQUENCY HIGH-SIDE INJECTION
RF FREQUENCY (MHz)
CONVERSION GAIN
vs. RF FREQUENCY HIGH-SIDE INJECTION
5
4
T A = -40°C
f IF = 120MHz
MAIN MIXER
5
4
f IF = 120MHz
MAIN MIXER
5
4
f IF = 120MHz
MAIN MIXER
3
2
3
2
P LO = -5dBm, 0dBm, +5dBm
3
2
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
1
0
T A = +85°C
T A = +25°C
1
0
1
0
820
840
860
880
900
920
820
840
860
880
900
920
820
840
860
880
900
920
RF FREQUENCY (MHz)
2 RF - 2 LO RESPONSE
vs. RF FREQUENCY LOW-SIDE INJECTION
RF FREQUENCY (MHz)
2 RF - 2 LO RESPONSE
vs. RF FREQUENCY LOW-SIDE INJECTION
RF FREQUENCY (MHz)
2 RF - 2 LO RESPONSE
vs. RF FREQUENCY LOW-SIDE INJECTION
80
75
T A = +85°C
f IF = 100MHz
MAIN MIXER
P RF = -5dBm
85
f IF = 100MHz
MAIN MIXER
P RF = -5dBm
P LO = -5dBm
80
75
f IF = 100MHz
MAIN MIXER
P RF = -5dBm
70
65
75
70
65
60
T A = +25°C
65
60
55
50
T A = -40°C
55
P LO = 0dBm
P LO = +5dBm
55
50
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
45
45
45
820
840
860
880
900
920
820
840
860
880
900
920
820
840
860
880
900
920
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
4
_______________________________________________________________________________________
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DP1205C915LF | MODULE DROP IN FOR XE1205 915MHZ |
| MAX2041ETP+ | IC MIXER UP/DWN HI LIN 20-TQFN |
| DP1205C868LF | MODULE DROP IN FOR XE1205 868MHZ |
| MAX2031ETP+ | IC MIXER UP/DWN HI LIN 20-TQFN |
| 3FD-548 | TRANSFORMER DUAL 24VAC .50A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MAX9981ETX+ | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MAX9981ETX+D | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MAX9981ETX+T | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MAX9981ETX+TD | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual SiGe Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| MAX9981ETX-T | 功能描述:射频混合器 825-915MHz Dual Active Mixer RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。