| 型号: | MAZ83300L |
| 厂商: | PANASONIC CORP |
| 元件分类: | 齐纳二极管 |
| 英文描述: | 32 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装: | SMINI2-F1, SC-90A, 2 PIN |
| 文件页数: | 3/7页 |
| 文件大小: | 90K |
| 代理商: | MAZ83300L |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBR12045CT | 60 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MMBZ5230BT-7 | 4.7 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MCL103A-TR | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MBR1045/45 | 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MBR1050/45 | 10 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MAZ83300ML | 功能描述:DIODE ZENER 33V 150MW S-MINI 2P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳(标称)(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
| MAZ8330GML | 功能描述:DIODE ZENER 33V 150MW S-MINI 2P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳(标称)(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
| MAZ8330-H | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon planar type |
| MAZ8330-L | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon planar type |
| MAZ8330-M | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon planar type |