参数资料
型号: MAZ83600H
厂商: PANASONIC CORP
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 37 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装: SMINI2-F1, SC-90A, 2 PIN
文件页数: 5/7页
文件大小: 90K
代理商: MAZ83600H
MAZ8000 Series
SKE00007BED
5
0.001
02468
10
12
0.01
0.1
1
10
0.005
0.05
0.5
5
50
100
Zener voltage V
Z (V)
Zener
current
I
Z
(mA
)
Tj = 25°C
Dynamic
Charac-
teristics
MAZ8100
MAZ8091
MAZ8082
MAZ8075
MAZ8068
MAZ8062
MAZ8056
MAZ8051
MAZ8047
MAZ8043
MAZ8039
MAZ8033
MAZ8027
MAZ8024
0.001
0
1020304050
60
0.01
0.1
1
10
0.005
0.05
0.5
5
50
100
Zener voltage V
Z (V)
Zener
current
I
Z
(mA
)
Tj = 25°C
Dynamic
Charac-
teristics
MAZ8110 MAZ8130 MAZ8160
MAZ8200
MAZ8240
MAZ8360
MAZ8390
1
10
100
5
50
500
1 000
0.1
1
0.3
3
30
300
100
10
1 000
Zener
operating
resistance
R
Z
(
)
Zener current I
Z (mA)
Ta = 25°C
MAZ8047
MAZ8039
MAZ8051
MAZ8056
MAZ8062
MAZ8068
MAZ8160
MAZ8390
MAZ8024
MAZ8100
MAZ8082
MAZ8043
0.01
0
0.2
0.4
0.6
1.0
0.8
1.2
0.1
1
10
100
50
5
0.5
0.05
Forward voltage V
F (V)
Forward
current
I
F
(mA
)
Ta = 25°C
15
5
20
25
0
10
010
20
40
50
30
Zener current I
Z (mA)
Temperature
coefficient
of
zener
voltage
S
Z
(mV
/
°C
)
MAZ8240
MAZ8160
MAZ8100
MAZ8068
MAZ8039
MAZ8024
1
5
10
50
100
0.1
0.5
100
10
1
0.1
0.01
0.05
0.5
5
50
Pulse width t
W (ms)
Non-repetitive
reverse
surge
power
dissipation
P
ZSM
(W
)
MAZ8039
MAZ8075
Ta = 25°C
tW
Non repetitive
PZSM
0.1
0.5
1
5
10
0.01
0.05
100
10
1
0.1
0.01
0.05
0.5
5
50
Pulse width t
W (s)
Thermal
impedance
Z
th
C
/
mW
)
With head sink (Typ. value)
Without heat sink (Typ. value)
Heat sink
Copper foil 0.8 mm
× 0.8 mm
IZ VZ
RZ IZ
IF VF
SZ IZ
PZSM tW
Zth tW
相关PDF资料
PDF描述
MF3406R 40 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-5
MMSZ5238BS-7 8.7 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MBRF1635 16 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
MBR2545CT/45 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MMSZ5258B-7 36 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
MAZ83600ML 功能描述:DIODE ZENER 36V 150MW S-MINI 2P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳(标称)(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT
MAZ8360GML 功能描述:DIODE ZENER 36V 150MW S-MINI 2P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳(标称)(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT
MAZ8360-H 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon planar type
MAZ8360-L 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon planar type
MAZ8360-M 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon planar type