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参数资料
| 型号： | MB252W |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 桥式整流 |
| 英文描述： | 25 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封装： | METAL, MB-35W, 4 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | MB252W |
21201 Itasca St.
Chatsworth, CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax:
(818) 701-4939
MB2505W
THRU
MB2510W
25 Amp Single Phase
Bridge Rectifier
50 to 1000 Volts
MB-35W
Features
Mounting Hole For #8 Screw
High Conductivity Metal Case
Any Mounting Position
Surge Rating Of 300 Amps
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
---
1.140
---
29.00
B
---
.452
---
11.50
C
---
.750
---
19.10
D
.692
.732
17.6
18.6
E
.040
---
1.00
---
4PL/TYP
G
.188
---
4.77
---
H
.429
.468
10.9
11.9
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55
°C to +175°C
Storage Temperature: -55
°C to +175°C
Microsemi
Part Number
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
Maximum
RMS Voltage
Maximum DC
Blocking
Voltage
MB2505W
50V
35V
50V
MB251W
100V
70V
100V
MB252W
200V
140V
200V
MB254W
400V
280V
400V
MB256W
600V
420V
600V
MB258W
800V
560V
800V
MB2510W
1000V
700V
1000V
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
IF(AV)
25.0A
TJ = 55
°C
Peak Forward Surge
Current
IFSM
300A
8.3ms, half sine
Maximum Forward
Voltage Drop Per
Element
VF
1.1V
IFM = 12.5A per
element;
TJ = 25
°C*
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
IR
10
A
0.5mA
TJ = 25
°C
TJ = 100
°C
*Pulse test: Pulse width 300
sec, Duty cycle 1%
B
C
E
D
AC
+
-
A
AC
G
A
H
D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MP4010 | 40 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| MLL759A-1 | 12 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| MLL974B-1 | 36 V, 0.48 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| MLL990B | 160 V, 0.48 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| MLQ3050B-1 | 180 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MB252-W | 功能描述:桥式整流器 25A 200V RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| MB252W-B | 功能描述:桥式整流器 200V 25A RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| MB252W-BP | 功能描述:桥式整流器 200V 25A RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| MB254 | 功能描述:桥式整流器 25A 400V RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| MB2541 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual octal buffer line driver 3-State |
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