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参数资料
| 型号： | MB258FW |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 25 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | MB258FW |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBR1535CTN | 15 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MPTE-22 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
| MTZHJ5.6B | 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| MTZHZ12A | 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| MTZT-1310D | 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MB258G | 制造商:TAITRON 制造商全称:TAITRON Components Incorporated 功能描述:25A Single-Phase Glass Passived Bridge Rectifier |
| MB258GW | 制造商:TAITRON 制造商全称:TAITRON Components Incorporated 功能描述:25A Single-Phase Glass Passivated Bridge Rectifier |
| MB258W | 功能描述:桥式整流器 25A 800V RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| MB258-W | 功能描述:桥式整流器 25A 800V RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| MB258W-BP | 功能描述:桥式整流器 25A 800V RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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